[发明专利]具有集成上电源电极的有机发光二极管面板无效
申请号: | 200780044840.6 | 申请日: | 2007-12-05 |
公开(公告)号: | CN101548382A | 公开(公告)日: | 2009-09-30 |
发明(设计)人: | 克里斯托弗·普拉特;戴维·沃夫里;菲利普·勒鲁瓦 | 申请(专利权)人: | 汤姆森特许公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 陶凤波 |
地址: | 法国布洛涅*** | 国省代码: | 法国;FR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 集成 电源 电极 有机 发光二极管 面板 | ||
技术领域
本发明涉及有机发光二极管面板的制作,每个有机发光二极管包含下电极和上电极;这些面板特别地旨在用于显示图像。
背景技术
顶部发射OLED面板要求透明上电极;该电极必须在光学透射和电学导电性之间提供一个良好的折衷。所谓的顶部发射高度推荐用于有源矩阵面板,尤其因为它可以提供更宽的像素开口率并因此增加发射区域总面积的可能性。由于不停增加的OLED显示面板的表面积和通常由ITO制成的透明上电极的有限的导电性,电位降发生在该透明电极中并引起正被显示的图像的严重均匀性缺陷。为了克服这些缺陷,该透明上电极可以用格栅来电学增强,该格栅的不透明导体放置在像素之间。克服这些缺陷的另一种方法是插入用于电学增强该上电极的导体,该导体或者如文献US2004/256620所述插入到面板的有源矩阵中,或者如文献US2005/012454、US2005/077816及US2005/179374所述插入到与二极管的下电极在同一水平的有源矩阵上方。
这些文献所述面板的一个缺陷是电学增强导体和透明电极之间的接触面积并不总是足够大以确保满意的电接触,即,提供低电阻。
文献EP1489671,见该文献图7A至7E,描述了用于制作具有集成到有源显示装置中的电学增强的面板的方法,该制作方法包含如下步骤,其中:
-二极管的下电源装置和用于二极管上电源的分配电极(标记为324)的网络沉积在基板上;
-至少一个电绝缘层(PLN1)沉积在该面板的整个有源表面上方,并且二极管的下电极(304-12,304-22)沉积为使得它们电连接到该二极管的下电源装置;
-藉由在至少一个电绝缘层(7,9)中去除,或者通过沿着二极管的下电源电极(324)形成连接沟槽或者形成一系列连接孔(321),至 少部分露出这些电极(324);
-至少一个有机电致发光层(EL)沉积在包含所述连接沟槽或者所述连接孔(321)的一个或者多个区域,从而覆盖该面板的整个有源表面,且使得该层(EL)与二极管的下电极(304-12,304-22)直接接触;
-透明导电层(340)至少沉积在其中有机电致发光层(EL)与二极管的下电极(304-12,304-22)直接接触的区域上,使得透明导电层(340)的每个区域延伸到至少一个所述连接沟槽或者至少一个所述连接孔,从而确保与二极管的至少一个所述下电源电极(62)电接触。
此处,二极管的下电源装置包含至少一个电极网络,该电极网络包含二极管的下电源电极以及该情形下包含二极管的驱动电路(301-12,301-22)的网络,驱动电路本身包含例如晶体管和/或电容的元件以及用于连接这些元件的导电片。
此处,用于二极管的上电源的分配电极网络(标记为324)提供上电极的电学增强;这些电极确保了二极管的上电极中更为均匀的电势分配;由于这些增强电极集成在有源矩阵中,它们非常小程度地限制该面板的发射表面。
如该文献的图7E所述,这种方法要求在电绝缘层(PLN1)的沉积步骤和透明导电层(340)的沉积步骤之间在有机电致发光层中的去除步骤,从而防止有机电致发光层妨碍电极(324)和透明导电层(340)之间的电接触。
发明内容
本发明的目的是避免前述缺点的至少其一。
为此,本发明首先涉及一种制作有机发光二极管面板的方法,每个有机发光二极管包含下电极和上电极,其中:
-二极管的下电源装置和用于二极管的上电源的分配电极的网络沉积在基板上;
-至少一个电绝缘层沉积在该面板的整个有源表面上方,且二极管的下电极沉积为使得它们电连接到二极管的所述下电源装置;
-藉由在至少一个电绝缘层中去除,或者通过沿着这些电极形成连接沟槽,或者形成一系列连接孔,用于上电源的分配电极至少部分露出;
-至少一个有机电致发光层沉积在一个或者多个区域从而覆盖包 含所述连接沟槽或者所述连接孔的该面板的整个有源表面,且使得该层与该二极管的下电极直接接触;
-透明导电层至少沉积在其中有机电致发光层与该电极的下电极直接接触的区域上,使得该透明导电层的每个区域延伸到至少一个所述连接沟槽或者至少一个所述连接孔内,从而确保与至少一个二极管的下电源电极电接触。
根据本发明,用于二极管的上电源的所述分配电极在其上面,至少在所述连接沟槽或者所述连接孔的水平,具有凸起,特别是肋。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的