[发明专利]由气相沉积进行有机分子选区生长的普适方法

权利要求书

1.一种在基底(11)上选区生长有机分子(15)的方法，其包括以下步骤：

在基底(11)上形成有机分子(15)的成核位置的图案(14)；

由气相沉积使有机分子(15)在所述成核位置(14)上沉积。

2.根据权利要求1所述方法，进一步包括通过调节基底(11)的温度来控制所述有机分子(15)的沉积。

3.根据权利要求1和2所述方法，进一步包括通过调整所述有机分子(15)的生长速率来控制所述有机分子的沉积

4.根据权利要求3所述的方法，所述生长速率由调节气相沉积中使用的热的克努森池的温度来调整。

5.根据权利要求1～4任一项所述的方法，其基底(11)选自硅、氧化硅、氧化铟锡、玻璃、氧化铝或者化学改性的上述材料。

6.根据权利要求1～5任一项所述的方法，所述成核位置(14)的形成包括使用电子束平板印刷、光学平板印刷、软平板印刷或扫描探针显微镜光刻的方法。

7.根据权利要求1～6任一项所述的方法，所述成核位置(14)的形成包括在基底(11)上沉积成核材料来作为成核位置。

8.根据权利要求7所述的方法，所述成核材料是金或者其他与基底(11)有不同表面能的材料。

9.根据权利要求1～8任一项所述的方法，有机分子(15)的沉积由物理气相沉积或化学气相沉积在真空中进行。

10.根据权利要求1～9任一项所述的方法，所述有机分子(15)为芳香族分子。

11.根据权利要求1～10所述的方法，所述有机分子(15)为一种有机半导体的分子。

12.基于根据权利要求1～10任一项所述的方法所制作的基于有机半导体的器件(16)

13.根据权利要求12所述的有机半导体器件(16)，其选自有机光发射二极管、有机场效应晶体管、光电器件、或有机半导体激光器。