[发明专利]液晶光学设备制造工艺无效
申请号: | 200780045437.5 | 申请日: | 2007-11-29 |
公开(公告)号: | CN101553753A | 公开(公告)日: | 2009-10-07 |
发明(设计)人: | 酒井明;宫田浩克;浅尾恭史;石田阳平;P·J·马丁;A·本达维德 | 申请(专利权)人: | 佳能株式会社 |
主分类号: | G02F1/1337 | 分类号: | G02F1/1337;C23C14/24 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 魏小薇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 液晶 光学 设备 制造 工艺 | ||
1.一种液晶光学设备的制造方法,该制造方法包括:
配向膜形成步骤,在基板上形成含有硅氧化物的配向膜;以及液晶单元形成步骤,设置一对基板,所述一对基板彼此相对,其间插入有液晶,所述一对基板中的至少一个上面已形成有配向膜,其中
所述配向膜形成步骤包含:通过使用含硅材料作为阴极的真空电弧放电来产生等离子束的步骤;以及用等离子束轰击以一角度倾斜地设置在等离子束的行程上的基板的表面的步骤;以及
在轰击基板的表面的步骤中,与形成具有柱体结构的膜的等离子束中的等离子体离子相比,以所述角度倾斜地轰击基板时的等离子束中的等离子体离子具有更高的动能或更高的通量密度。
2.根据权利要求1的制造方法,其中,在存在氧气的状态下实施用等离子束轰击基板的表面的步骤。
3.根据权利要求1的制造方法,其中,在用等离子束扫描基板的同时实施配向膜形成步骤。
4.根据权利要求1的制造方法,其中,
在所述一对基板的两个基板上都形成配向膜,并且,所述一对基板被彼此相对设置,使得用等离子束轰击基板的表面的方向相互反平行。
5.根据权利要求1的制造方法,还包括在液晶单元形成步骤之后切割基板的步骤。
6.根据权利要求1的制造方法,其中,被用作阴极的材料是硅。
7.根据权利要求1的制造方法,其中,被用作阴极的材料是硅和铝的合金。
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