[发明专利]液晶显示装置无效
申请号: | 200780045547.1 | 申请日: | 2007-12-11 |
公开(公告)号: | CN101553755A | 公开(公告)日: | 2009-10-07 |
发明(设计)人: | 田中耕平;吉田圭介;中岛睦 | 申请(专利权)人: | 夏普株式会社 |
主分类号: | G02F1/1368 | 分类号: | G02F1/1368;G02F1/1343 |
代理公司: | 北京市隆安律师事务所 | 代理人: | 权鲜枝 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 液晶 显示装置 | ||
技术领域
本发明涉及液晶显示装置,尤其是涉及能够抑制在显示图像中产生横纹的液晶显示装置。
背景技术
以往,在能进行彩色显示的液晶显示装置中,1个像素由对应于红、绿、蓝3原色的3个子像素构成。子像素分别具有TFT、像素电极等像素构成要素。另外,作为子像素的排列方式,已知的有同一颜色的子像素沿垂直方向排列的条形排列、同一颜色的子像素沿倾斜方向排列的三角形排列等。
这其中的条形排列可以清晰地显示图形、文字等的轮廓,适用于OA用显示装置。与此相对,三角形排列比条形排列更能显示接近肉眼所见状态的图像。三角形排列适用于显示录像机、电视机所播放的影像的显示装置。
在此,使用图5~图7说明现有的液晶显示装置(例如,参照专利文献1。)。在图5~图7所示的示例中,子像素的排列方式采用了三角形排列。图5是表示在现有的液晶显示装置中的像素电极和源极总线的布局的平面图。另外,在图5中,仅示出了构成液晶显示装置的阵列基板的上表面。
在图5所示的液晶显示装置中,采用了三角形排列。因此,分别构成多个子像素的像素电极32被配置为使相互相邻的三个像素电极32的中心连接后构成正三角形。按照所对应的滤色器的颜色存在3种像素电极32。另外,因为采用了三角形排列,因此,关于像素电极32,所对应的滤色器的颜色相同的像素电极32沿倾斜方向排列。
另外,采用三角形排列时,像素电极32并非像条形排列那样沿垂直方向排成一列,因此源极总线38形成弯曲形状。此外,源极总线38根据像素电极32的种类而形成3种类型:对红色的像素电极32写入数据的R源极总线38R、对绿色的像素电极32写入数据的G源极总线38G以及对蓝色的像素电极32写入数据的B源极总线38B。在图5中,每种源极总线用不同的阴影线标示。
下面,用图6和图7说明图5所示的阵列基板的具体结构。图6是表示图5所示的液晶显示装置的一部分的具体结构的平面图。图7是表示图5所示的液晶显示装置的一部分的具体结构的截面图。在图6和图7中,仅示出了构成液晶显示装置的阵列基板。图7所示的截面是沿着图6中的切断线B-B’得到的截面。另外,关于绝缘性部件,在图6中省略了相关记述,在图7中省略了阴影线。
如图6和图7所示,各像素电极32a~32e由对应的TFT 33驱动。在图6和图7的示例中,仅图示了像素电极32a所对应的TFT 33。TFT33由形成在玻璃基板46上的硅膜34以及隔着绝缘膜35形成在硅膜34上的栅极电极36构成。
在硅膜34中,除去位于栅极电极36正下方的部分外,形成有成为源极区域或漏极区域的扩散层。栅极电极36是从栅极总线37分支出来的配线。采用GE金属将栅极电极36和栅极总线37形成在绝缘膜35上。此外,这里所说的GE金属是指具有高熔点的导电性材料如钨、钼、钽等单层结构体,或者,指由这些物质的层叠结构体形成的金属材料。而且,在栅极总线37的同一层中,还采用同样的GE金属形成有用于形成存储电容的CS总线40。栅极电极36、栅极总线37、C S总线40由层间绝缘膜41覆盖。
另外,源极总线38由SE金属形成在层间绝缘膜41上。源极总线38与TFT 33通过贯穿层间绝缘膜41以及绝缘膜35的接点44连接。而且,在与源极总线38相同的层上,同样也由SE金属形成了连接配线39,该连接配线39用于连接TFT 33和像素电极32a。连接配线39和TFT 33也是通过贯穿层间绝缘膜41和绝缘膜35的接点43连接。
另外,在层间绝缘膜41上,形成了覆盖源极总线38、连接配线39的树脂层42。像素电极32a~32e通过ITO膜形成在该树脂层42上。在图7中,像素电极32a通过通孔45连接到连接配线39。通过在设置于树脂层42中的贯通孔的壁面上形成导电膜而得到通孔45。
这样,在图6和图7所示的示例中,像素电极32a和与其对应的TFT 33,通过通孔45、连接配线39以及接点43相连接。其中,驱动像素电极32a的TFT 33被配置在像素电极32a以外的其它像素电极32b的正下方。另外,驱动该TFT 33的栅极总线37也被配置在像素电极32a以外的其它像素电极32b的正下方。
采用这种布局是为了抑制TFT 33的驱动对象的像素电极32a和栅极总线37之间的寄生电容(Cgd)的增加,避免因栅极信号波形的钝化而使栅极总线的电容增加。
专利文献1:日本特开平8-240812号公报
发明内容
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