[发明专利]制备放射性同位素材料的靶体及其用途

权利要求书

1.用于制备放射性同位素的靶体，所述靶体包括：

包含冷却剂通道的基体；

设置于该基体上的保护层；和

设置于该基体上的放射性同位素原料，其中所述保护层设置于所述基体和所述放射性同位素原料之间。

2.权利要求1所述的靶体，其中所述保护层包含铬。

3.权利要求1所述的靶体，其中所述保护层包含铬、钽、钨、金、铌、铝、锆、或铂、或它们的组合。

4.权利要求1～3中任一项所述的靶体，其中所述保护层包含电镀层。

5.权利要求1～4中任一项所述的靶体，其中所述保护层包含无光精整的表面。

6.权利要求1～5中任一项所述的靶体，其中所述保护层包含对通过化学品去除来说呈化学耐受性的材料，其中所述放射性同位素原料易于通过化学品去除。

7.权利要求6所述的靶体，其中所述基体易于通过所述化学品去除。

8.权利要求1～7中任一项所述的靶体，其中所述保护层包含其它放射性同位素原料。

9.权利要求1～8中任一项所述的靶体，其中所述基体包含其它放射性同位素原料。

10.权利要求1～9中任一项所述的靶体，其中所述放射性同位素原料包含铊203。

11.权利要求1～9中任一项所述的靶体，其中所述放射性同位素原料包含镉-112或锌-68。

12.用于制备放射性同位素的靶体的制造方法，包括：

将保护层电镀到靶体的基体上；和

将放射性同位素原料设置在该保护层上。

13.权利要求12所述的方法，包括抛光所述基体的用于电镀的区域。

14.权利要求12或13所述的方法，包括涂覆所述基体的不用于电镀的区域。

15.权利要求12～14中任一项所述的方法，其中所述保护层的电镀包括制备无光精整的保护层表面。

16.权利要求12～15中任一项所述的方法，包括延长电镀时间以增加无光精整的粗糙度和增加所述保护层的厚度。

17.权利要求12～16中任一项所述的方法，其中所述保护层包含铬。

18.权利要求12～16中任一项所述的方法，其中所述保护层包含铬、钽、钨、金、铌、铝、锆、或铂、或它们的组合。

19.权利要求12～18中任一项所述的方法，其中所述放射性同位素原料包含铊203、或镉-112、或锌-68、或它们的组合。

20.权利要求12～19中任一项所述的方法，包括制备具有配置成接收流体冷却剂循环的冷却剂部分的靶体。

21.放射性同位素的制备方法，包括：

将高能粒子轰击到位于靶体的化学保护层上的原料上以产生该原料的放射性同位素。

22.权利要求21所述的方法，包括在不去除受所述保护层保护的靶体基材的情况下去除所述具有所述放射性同位素的原料。

23.权利要求22所述的方法，其中，去除包括：以化学方式去除所述原料，同时所述化学保护层保留在所述靶体的基材上。

24.权利要求22或23所述的方法，包括在去除所述原料后去除所述化学保护层，并得到所述化学保护层的另一种放射性同位素。

25.权利要求24所述的方法，包括在去除所述原料后和去除所述化学保护层后，去除至少一部分的所述基材，并得到所述基材的其它放射性同位素。

26.权利要求21～25中任一项所述的方法，其中所述原料包含富集的铊203.

27.权利要求21～26中任一项所述的方法，包括从所述原料的剩余物分离所述放射性同位素。

28.权利要求27所述的方法，其中所述剩余物基本上不含有长半衰期的放射性材料。

29.权利要求27或28所述的方法，包括再次使用所述原料的剩余物以制造其它放射性同位素。