[发明专利]混合非易失性固态存储器系统

权利要求书

1.一种固态存储器系统，包括：

第一非易失性半导体(NVS)存储器，其具有第一写周期寿命；

第二非易失性半导体(NVS)存储器，其具有与所述第一写周期寿命不同的第二写周期寿命；以及

损耗水平测量模块，其基于所述第一和第二写周期寿命生成所述第一和第二NVS存储器的第一和第二损耗水平，并且基于所述第一和第二损耗水平将逻辑地址映射到所述第一和第二NVS存储器之一的物理地址。

2.如权利要求1所述的固态存储器系统，其中，所述第一损耗水平是基本上基于对所述第一NVS存储器执行的写操作的第一数目与所述第一写周期寿命的比例的，所述第二损耗水平是基本上基于对所述第二NVS存储器执行的写操作的第二数目与所述第二写周期寿命的比例的。

3.如权利要求1所述的固态存储器系统，其中，所述损耗水平测量模块在所述第二损耗水平小于所述第一损耗水平时，将所述逻辑地址映射到所述第二NVS存储器的所述物理地址。

4.如权利要求1所述的固态存储器系统，其中，所述第一NVS存储器具有比所述第二NVS存储器的第二存储容量大的第一存储容量。

5.如权利要求1所述的固态存储器系统，还包括映射模块，其接收将数据写到所述逻辑地址中的第一和第二逻辑地址的第一和第二频率，其中所述损耗水平测量模块在所述第一频率大于所述第二频率并且所述第二损耗水平小于所述第一损耗水平时，将所述逻辑地址中的所述第一逻辑地址的映射偏移到所述第二NVS存储器的所述物理地址。

6.如权利要求5所述的固态存储器系统，其中，所述损耗水平测量模块将所述逻辑地址中的所述第二逻辑地址的映射偏移到所述第一NVS存储器的所述物理地址。

7.如权利要求5所述的固态存储器系统，还包括写监控模块，其对将数据写到所述逻辑地址中的所述第一和第二逻辑地址的后续频率进行监控，并且基于所述后续频率更新所述第一和第二频率。

8.如权利要求1所述的固态存储器系统，还包括写监控模块，其测量将数据写到所述逻辑地址中的第一和第二逻辑地址的第一和第二频率，其中所述损耗水平测量模块在所述第一频率大于所述第二频率并且所述第二损耗水平小于所述第一损耗水平时，将所述逻辑地址中的所述第一逻辑地址的映射偏移到所述第二NVS存储器的所述物理地址。

9.如权利要求8所述的固态存储器系统，其中，所述损耗水平测量模块将所述逻辑地址中的所述第二逻辑地址的映射偏移到所述第一NVS存储器的所述物理地址。

10.如权利要求1所述的固态存储器系统，还包括劣化测试模块，其：

在第一预定时间将数据写到所述物理地址中的一个物理地址；

通过从所述物理地址中的所述一个物理地址读取数据生成第一存储数据；

在第二预定时间将数据写到所述物理地址中的所述一个物理地址；

通过从所述物理地址中的所述一个物理地址读取数据生成第二存储数据；以及

基于所述第一和第二存储数据生成所述物理地址中的所述一个物理地址的劣化值。

11.如权利要求10所述的固态存储器系统，其中，所述损耗水平测量模块基于所述劣化值，将所述逻辑地址之一映射到所述物理地址中的所述一个物理地址。

12.如权利要求1所述的固态存储器系统，其中：

所述损耗水平测量模块在所述第二损耗水平大于等于第一预定阈值时将所述逻辑地址映射到所述第一NVS存储器的所述物理地址；以及

所述损耗水平测量模块在所述第一损耗水平大于等于第二预定阈值时将所述逻辑地址映射到所述第二NVS存储器的所述物理地址。

13.如权利要求1所述的固态存储器系统，其中，当在预定时间段中对所述第一NVS存储器的所述物理地址的第一块执行的写操作大于等于预定阈值时，所述损耗水平测量模块将所述逻辑地址中的相应逻辑地址的映射从所述第一块偏移到所述第二NVS存储器的所述物理地址的第二块。

14.如权利要求1所述的固态存储器系统，其中，所述损耗水平测量模块将所述第二NVS存储器的所述物理地址的第一块标识为最少使用块(LUB)。