[发明专利]辐射系统和光刻设备

权利要求书

1.一种用于在辐射空间中产生辐射束的辐射系统，所述辐射系统包括：

等离子体产生的放电源，其构造并设置成产生极紫外辐射，所述放电 源包括构造并配置成设置有电压差的一对电极，和系统，所述系统构造并 配置成在所述成对电极之间产生放电，以便在所述电极之间产生箍缩等离 子体；和

碎片捕获遮蔽件，其构造并配置成从所述电极捕获碎片、将所述电极 与辐射空间中设置的光的路线遮挡分开、以及在所述光的路线中所述电极 之间的中心区域设置孔，

其中，所述碎片捕获遮蔽件包括相对于所述中心区域大体上沿径向取 向的板的静态结构，所述板中的至少一些由流体喷射流提供。

2.根据权利要求1所述的辐射系统，其中，以相对于光学轴线的预定 球面角限定所述辐射空间。

3.根据权利要求1所述的辐射系统，其中，所述流体喷射流包括熔融 的锡或锡化合物。

4.根据权利要求3所述的辐射系统，其中，所述锡化合物包括Ga-In-Sn。

5.根据权利要求1所述的辐射系统，其中，所述碎片捕获遮蔽件由相 对地且大体上平行于所述电极的纵轴线的一对流体喷射流提供。

6.根据权利要求1所述的辐射系统，其中，所述碎片捕获遮蔽件包括 相对于所述中心区域沿径向方向设置的多个流体喷射流。

7.根据权利要求6所述的辐射系统，其中，所述多个流体喷射流彼此 相邻地设置。

8.根据权利要求1所述的辐射系统，其中，在距离所述电极大约0.5mm 到大约25mm范围内的位置处设置所述碎片捕获遮蔽件。

9.根据权利要求1所述的辐射系统，其中，由大体上平行于电极纵轴 线移动的移动元件提供所述碎片捕获遮蔽件。

10.根据权利要求9所述的辐射系统，其中，设置用于容纳冷却剂的容 器，用于引导所述移动元件穿过其中。

11.根据权利要求1所述的辐射系统，其中所述板被取向成将所述电极 与所述板之间提供的光的路线遮挡分开。

12.根据权利要求11所述的辐射系统，其中，所述板之间的距离随着 离光学轴线的距离的增大而增大。

13.根据权利要求11所述的辐射系统，其中，所述板之间的距离在大 约0.5mm到大约3mm之间的范围。

14.根据权利要求11所述的辐射系统，还包括设置用于在所述电极和 所述遮蔽件之间施加电磁偏转场的电磁偏转场单元。

15.根据权利要求14所述的辐射系统，其中，所述电磁偏转场单元提 供静态磁场。

16.根据权利要求15所述的辐射系统，其中，所述磁场被设置成四极 场，所述四极场配置用于将正电颗粒偏转向沿所述沿径向取向的板取向的 平面。

17.根据权利要求16所述的辐射系统，其中，沿光学轴线提供所述平 面。

18.根据权利要求11所述的辐射系统，还包括氢根供给系统，用于引 导氢根通过所述板。

19.根据权利要求11所述的辐射系统，其中，至少一些所述板设置有 大体上相对所述板横向取向的横贯通道。

20.根据权利要求19所述的辐射系统，其中，所述横贯通道设置有导 线。

21.根据权利要求19所述的辐射系统，还包括氢根供给系统，用于引 导氢根通过所述横贯通道。

22.根据权利要求1所述的辐射系统，还包括：加热系统，所述加热系 统能够有选择地被加热，用于将所述碎片捕获遮蔽件的温度升高到用于从 所述碎片捕获遮蔽件蒸发所述碎片的温度；和气体供给系统，所述气体供 给系统用于提供气流以排出来自所述碎片捕获遮蔽件的所述蒸发的碎片。

23.根据权利要求22所述的辐射系统，其中，所述升高的温度至少是 900℃以去除锡碎片。