[发明专利]电极结构体及凸点形成方法有效
申请号: | 200780046218.9 | 申请日: | 2007-11-27 |
公开(公告)号: | CN101573784A | 公开(公告)日: | 2009-11-04 |
发明(设计)人: | 谷口泰士;中谷诚一;北江孝史;辛岛靖治;保手浜健一 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L23/12;H05K3/34 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人: | 侯颖媖;胡 烨 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电极 结构 形成 方法 | ||
1.一种装载焊锡凸点的电极结构体,其特征在于,包括:
由选自Cu、Al、Cr及Ti的电极构成材料形成的电极图案;
形成于所述电极图案上的一部分的Ni层;
形成于所述电极图案上的所述一部分以外的区域的至少一部分的Pd 层;以及
形成于所述Ni层和所述Pd层上的Au层。
2.如权利要求1所述的电极结构体,其特征在于,
所述Ni层形成于所述电极图案上的中央部,所述Pd层以覆盖所述Ni层 的周围的形态形成于所述电极图案上。
3.如权利要求1所述的电极结构体,其特征在于,
所述电极图案排列在玻璃基板或树脂基板上。
4.一种装载焊锡凸点的电极结构体,其特征在于,包括:
由选自Cu、Al、Cr及Ti的电极构成材料形成的电极图案;
形成于所述电极图案上的至少一部分的Ni层;
覆盖所述Ni层的上表面和侧面的Pd层;以及
覆盖所述Pd层的上表面和侧面的Au层。
5.如权利要求4所述的电极结构体,其特征在于,
所述Ni层配置于所述电极图案上的中央部。
6.如权利要求4所述的电极结构体,其特征在于,
所述电极图案排列在玻璃基板或树脂基板上。
7.一种凸点形成方法,其特征在于,
在由选自Cu、Al、Cr及Ti的电极构成材料形成的电极图案和形成于所 述电极图案上的Ni层所构成的权利要求1或4所述的电极结构体上形成凸点 时,包括以下工序:
向电极结构体上供给含有导电性粒子和发泡剂的流动体的工序(a);
隔着所述流动体在所述电极结构体上配置板状构件的工序(b);
对所述流动体加热,使所述发泡剂产生气泡,使所述导电性粒子在所 述电极结构体上自聚集的工序(c);以及
将进行了所述自聚集之后的所述导电性粒子再熔融,使该导电性粒子 在形成于所述电极结构体的电极图案上的所述Ni层上固化的工序(d)。
8.如权利要求7所述的凸点形成方法,其特征在于,
向所述电极图案上赋予在所述再熔融时被进行了所述自聚集之后的导 电性粒子吸收的金属。
9.如权利要求7所述的凸点形成方法,其特征在于,
在所述工序(c)之后还包括除去所述板状构件的工序。
10.如权利要求7所述的凸点形成方法,其特征在于,
所述工序(a)中的所述流动体所含的所述发泡剂由在所述工序(c)中的 所述流动体被加热时沸腾的材料构成,或者由通过热分解产生气体的材料 构成。
11.如权利要求7所述的凸点形成方法,其特征在于,
在所述工序(c)中,在供给至所述电极结构体上的所述流动体与所述板 状构件抵接的状态下实施加热。
12.如权利要求7所述的凸点形成方法,其特征在于,
在所述工序(c)中,在所述电极结构体所包括的所述电极图案和所述板 状构件之间设置有间隙。
13.如权利要求12所述的凸点形成方法,其特征在于,
所述间隙大于所述导电性粒子的粒径。
14.如权利要求7所述的凸点形成方法,其特征在于,
在所述工序(c)中,对所述板状构件施加一定的压力,从而在维持一定 的间隙的情况下挤压所述流动体并同时进行加热。
15.如权利要求7所述的凸点形成方法,其特征在于,
在所述工序(c)中,由所述发泡剂产生的气泡从设置于所述板状构件和 所述电极结构体之间的间隙的周边部向外部排出。
16.如权利要求7所述的凸点形成方法,其特征在于,
在所述工序(c)中,在加热工序中改变所述板状构件和所述电极结构体 之间的间隙的大小。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造