[发明专利]用于氢氟碳蚀刻的粘着层

权利要求书

1.一种用以在工艺晶片上设在掩模下的蚀刻层中蚀刻特征的方法，包括：

沉积基于碳氢化合物的粘着层；和

利用至少一个循环蚀刻该工艺晶片上的该蚀刻层，其中每个循环包括：

在该掩模上方以及在该基于碳氢化合物的粘着层上沉积氢氟碳层，其中该基于碳氢化合物的粘着层增加该氢氟碳层的粘着力；和

蚀刻该蚀刻层。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，该蚀刻该蚀刻层包括至少三个循环。

3.根据权利要求1-2任一项所述的方法，其中，该基于碳氢化合物的粘着层小于1000厚。

4.根据权利要求1-3任一项所述的方法，进一步包括：

清洁蚀刻室，其清洁该蚀刻室中的电极，其中清洁该蚀刻室之后该沉积该碳氢粘着层将该碳氢粘着层沉积在该电极上；和

将该工艺晶片设在该蚀刻室中。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，该电极是含硅电极。

6.根据权利要求1-5任一项所述的方法，其中，该蚀刻层由介电材料组成。

7.根据权利要求4-6任一项所述的方法，形成该粘着层粗化该电极的表面。

8.根据权利要求4-7任一项所述的方法，进一步包括将空白晶片提供进该蚀刻室，其中在该蚀刻室清洁和沉积该基于碳氢化合物的粘着层期间，该空白晶片在该蚀刻室中。

9.根据权利要求1-8任一项所述的方法，其中，该沉积该基于碳氢化合物的粘着层提供在至少2MHz的至少1500瓦特功率和在至少27MHz的至少1000瓦特功率以粗化该电极的表面。

10.根据权利要求4-9任一项所述的方法，其中，清洁该蚀刻室是氧清洁，以在该电极上方形成硅氧化物层。

11.根据权利要求1-10任一项所述的方法，其中，该沉积该基于碳氢化合物的粘着层包括：

提供不含氟的碳氢化合物气体；和

由该不含氟的碳氢化合物气体形成等离子。

12.根据权利要求1-11任一项所述的方法，其中，该掩模具有掩模特征，其中该基于碳氢化合物的粘着层在该掩模上方形成，并且在该掩模特征上形成侧壁，其中该侧壁的粘着层厚度小于10

13.根据权利要求1-12任一项所述的方法，其中，该沉积该氢氟碳层在该掩模特征上的该基于碳氢化合物的粘着层上方形成厚度大于20的侧壁。

14.根据权利要求1-13任一项所述的方法，其中，该沉积该氢氟碳层包括：

提供氢氟碳气体；和

由该氢氟碳气体形成等离子。

15.一种由权利要求1-14任一项所述的方法形成的半导体器件。

16.一种在掩模下的蚀刻层中蚀刻特征的设备，包括：

等离子处理室，包括：

形成等离子处理室外壳的室壁；

在该等离子处理室外壳内支撑基片的基片支撑件；

用以调节该等离子处理室外壳内压力的压力调节器；

用以提供功率至该等离子处理室外壳以维持等离子的至少一个电极；

用以将气体提供进该等离子处理室外壳内的气体入口；和

从该等离子处理室外壳排出气体的气体出口；

与该气体入口流体连通的气体源，包括：

粘着层气体源；

氢氟碳沉积阶段气体源；和

蚀刻阶段气体源；和

控制器，以可控的方式连接到该气体源和该至少一个电极，包括：

至少一个处理器；和

计算机可读介质，包括：

沉积基于碳氢化合物的粘着层的计算机可读代码；

将特征蚀刻进该蚀刻层的计算机可读代码，包括；

沉积氢氟碳沉积的计算机可读代码；和

蚀刻该蚀刻层的计算机可读代码。

17.根据权利要求16所述的设备，其中，沉积该基于碳氢化合物的粘着层的该计算机可读代码，包括：

提供不含氟的碳氢化合物气体的计算机可读代码；和

由该不含氟的基于碳氢化合物的气体形成等离子的计算机可读代码。

18.根据权利要求16-17任一项所述的设备，其中，沉积该氢氟碳沉积物的该计算机可读代码，包括：

提供氢氟碳气体的计算机可读代码；和

由该氢氟碳气体形成等离子的计算机可读代码。