[发明专利]半导体器件的制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，包括：

第一步骤：在半导体(102)的表面的一部分上形成离子注入掩模(103)；

第二步骤：将第一掺杂剂的离子注入到除了形成所述离子注入掩模(103)的区域之外的所述半导体(102)的所述表面的暴露区域的至少一部分中，以形成第一掺杂剂注入区域(106)；

第三步骤：在形成所述第一掺杂剂注入区域(106)之后，去除所述离子注入掩模(103)的一部分，以增大所述半导体(102)的所述表面的所述暴露区域；以及

第四步骤：将第二掺杂剂的离子注入到所述半导体(102)的所述表面的所述增大的暴露区域的至少一部分中，以形成第二掺杂剂注入区域(107)。

2.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，所述离子注入掩模(103)包括从钨、硅、铝、镍以及钛构成的组中选择的至少一种。

3.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，所述离子注入掩模(103)由两层或者更多层形成。

4.根据权利要求3所述的半导体器件的制造方法，其中，所述离子注入掩模(103)由两层形成，所述两层包括第一离子注入掩模(103a)和形成在所述第一离子注入掩模(103a)上的第二离子注入掩模(103b)。

5.根据权利要求4所述的半导体器件的制造方法，其中，所述第一离子注入掩模(103a)含有作为主要成分的钨，并且所述第二离子注入掩模(103b)含有作为主要成分的氧化硅。

6.根据权利要求4所述的半导体器件的制造方法，其中，以在所述半导体(102)的表面上堆叠所述第一离子注入掩模(103a)和所述第二离子注入掩模(103b)的次序，并且随后蚀刻一部分所述离子注入掩模(103)以暴露所述半导体(102)表面的一部分，从而执行所述第一步骤；

在形成所述第一掺杂剂注入区域(106)之后，通过在所述第一离子注入掩模(103)的宽度方向上对所述第一离子注入掩模(103)进行蚀刻来执行所述第三步骤，

在所述第三步骤和所述第四步骤之间，包括通过蚀刻来去除所述第二离子注入掩模(103b)的步骤，以及

在所述第四步骤之后，包括通过蚀刻来去除所述第一离子注入掩模(103a)的步骤。

7.根据权利要求6所述的半导体器件的制造方法，其中，通过用于蚀刻所述第二离子注入掩模(103b)的蚀刻溶液或蚀刻气体，所述第二离子注入掩模(103b)与所述第一离子注入掩模(103a)的选择性比率不小于2。

8.根据权利要求6所述的半导体器件的制造方法，其中，所述第一步骤中的蚀刻和所述第三步骤中的蚀刻均通过干法蚀刻来执行。

9.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，通过所述第三步骤中的蚀刻来去除所述离子注入掩模(103)的所述部分，并且所述第三步骤中的蚀刻之后，所述离子注入掩模(103)具有用作所述第四步骤中的所述第二掺杂剂的离子的注入掩模的厚度。

10.根据权利要求9所述的半导体器件的制造方法，其中，所述离子注入掩模(103)含有作为主要成分的钨。

11.根据权利要求9所述的半导体器件的制造方法，其中，在所述半导体(102)的表面上形成所述离子注入掩模(103)之后，通过蚀刻所述离子注入掩模(103)的一部分以暴露所述半导体(102)的一部分表面，从而执行所述第一步骤，

在形成所述第一掺杂剂注入区域(106)之后，通过在所述离子注入掩模(103)的宽度方向上对所述离子注入掩模(103)进行蚀刻来执行所述第三步骤，以及，

在所述第四步骤之后，包括去除所述离子注入掩模(103)的步骤。

12.根据权利要求11所述的半导体器件的制造方法，其中，所述第一步骤中的蚀刻和所述第三步骤中的蚀刻均通过干法蚀刻来执行。

13.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，所述半导体(102)的带隙能量不小于2.5eV。

14.根据权利要求13所述的半导体器件的制造方法，其中，所述半导体(102)含有作为主要成分的碳化硅。