[发明专利]用于浮体单元内存的读出装置及其方法有效
申请号: | 200780046338.9 | 申请日: | 2007-12-13 |
公开(公告)号: | CN101681666A | 公开(公告)日: | 2010-03-24 |
发明(设计)人: | M·A·德雷森;J·J·吴;D·R·韦斯 | 申请(专利权)人: | 先进微装置公司 |
主分类号: | G11C7/06 | 分类号: | G11C7/06;G11C11/4091;G11C11/404 |
代理公司: | 北京戈程知识产权代理有限公司 | 代理人: | 程 伟;王锦阳 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 单元 内存 读出 装置 及其 方法 | ||
1.一种内存装置(100),包括:
内存阵列(102),包括储存第一位值的第一浮体单元(320)和储存第 二位值的第二浮体单元(420);以及
读出放大器(108)装置,包括:
第一位输出端,用以提供代表该第一位值的第一输出电压;
第二位输出端,用以提供代表该第二位值的第二输出电压;
参考源(302),用以提供参考电压;
第一电流镜(330),用以基于该参考电压将第一电流提供给该第一 浮体单元(320);
第二电流镜(430),用以基于该参考电压将第二电流提供给该第二 浮体单元(420),其中,该第二电流大致等于该第一电流;
第一微分放大器电路(332),用以基于该参考电压以及由于将该第 一电流施加给该第一浮体单元(320)而产生的跨接于该第一浮体单元 (320)的第一电压来决定该第一输出电压;以及
第二微分放大器电路(432),用以基于该参考电压以及由于将该第 二电流施加给该第二浮体单元(420)而产生的跨接于该第二浮体单元 (420)的第二电压来决定该第二输出电压。
2.如权利要求1所述的内存装置(100),其中,该读出放大器(108) 耦接第三浮体单元,该第三浮体单元储存为该第一位值的补码的第三 位值。
3.如权利要求2所述的内存装置(100),其中,该第一电流镜(330) 将第三电流提供给该第三浮体单元(512),其中,该第一电流大致等于 该第三电流,且其中,该参考电压包括由于将该第三电流施加到该第 三浮体单元(512)而产生的跨接于该第三浮体单元(512)的第三电压。
4.如权利要求1所述的内存装置(100),其中,该读出放大器(108) 耦接于并联耦接的第三浮体单元(512)及第四浮体单元(520),其中,该 第三浮体单元(512)储存第三位值,而该第四浮体单元(520)储存为该第 三位值的补码的第四位值。
5.如权利要求1所述的内存装置(100),其中,该第二电流镜具有 第一电流电极及第二电流电极,且该内存装置中,该第一微分放大器 电路(332)包括:
第一晶体管(314),其包括耦接至第一参考电压的该第一电流电极、 耦接至该第一位输出端且耦接至该第二电流镜(334)的该第一电流电极 的该第二电流电极、以及耦接至该第一浮体单元(320)的电流电极的控 制电极;以及
第二晶体管(306),包括耦接至该第一参考电压的该第一电流电极、 耦接至该第二电流镜(334)的该第二电流电极的该第二电流电极、以及 耦接至该参考源(302)的输出端的控制电极。
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