[发明专利]有机电致发光元件及其制造方法无效
申请号: | 200780046479.0 | 申请日: | 2007-12-19 |
公开(公告)号: | CN101558683A | 公开(公告)日: | 2009-10-14 |
发明(设计)人: | 饭泉安广;伊藤范人 | 申请(专利权)人: | 大日本印刷株式会社 |
主分类号: | H05B33/12 | 分类号: | H05B33/12;H05B33/10;H05B33/22;H01L51/50 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 李贵亮 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 电致发光 元件 及其 制造 方法 | ||
1.一种有机电致发光元件,其特征在于,
具有:基板;
以图案状形成于所述基板上的第一电极层;
润湿性变化层,其形成于所述第一电极层上,在伴随着能量照射的光催化剂的作用下润湿性发生变化,相对于所述能量为惰性,并且在表面具有由亲液性区域和疏液性区域构成的润湿性变化图案,该亲液性区域配置在所述第一电极层的图案上并含有聚有机硅氧烷,该疏液性区域配置在所述第一电极层的图案的开口部上并含有含氟的聚有机硅氧烷;
有机电致发光层,其形成于所述润湿性变化层的亲液性区域上并至少含有发光层;以及
第二电极层,其形成于所述有机电致发光层上。
2.根据权利要求1所述的有机电致发光元件,其特征在于,
所述有机电致发光层含有空穴注入输送层,所述空穴注入输送层形成于所述润湿性变化层与所述发光层之间。
3.根据权利要求1或2所述的有机电致发光元件,其特征在于,
所述润湿性变化层的膜厚为20nm以下。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的有机电致发光元件,其特征在于,
在所述基板上的所述第一电极层的图案的开口部形成有绝缘层。
5.一种有机电致发光元件的制造方法,其特征在于,包括:
润湿性变化层形成工序,在形成了电极层的基板上,形成在伴随着能量照射的光催化剂的作用下润湿性发生变化的润湿性变化层;
润湿性变化图案形成工序,将在基体上至少形成了含有光催化剂的光催化剂处理层的光催化剂处理层基板以相对于所述润湿性变化层间隔出能够接受到伴随着能量照射的光催化剂的作用的间隙的方式配置,然后以图案状进行能量照射,由此在所述润湿性变化层表面形成由亲液性区域和疏液性区域构成的润湿性变化图案;以及
有机电致发光层形成工序,在所述亲液性区域上形成至少含有发光层的有机电致发光层。
6.根据权利要求5所述的有机电致发光元件的制造方法,其特征在于,
用所述光催化剂处理层基板,在所述基体上以图案状形成有所述光催化剂处理层。
7.根据权利要求5所述的有机电致发光元件的制造方法,其特征在于,
用所述光催化剂处理层基板,在所述基体上以图案状形成有遮光部。
8.根据权利要求5至7中任一项所述的有机电致发光元件的制造方法,其特征在于,
所述有机电致发光层形成工序包括在所述亲液性区域上形成空穴注入输送层的空穴注入输送层工序;和在所述空穴注入输送层上形成所述发光层的发光层形成工序。
9.根据权利要求5至8中任一项所述的有机电致发光元件的制造方法,其特征在于,
所述润湿性变化层含有以YnSiX(4-n)表示的硅化合物的1种或2种以上的水解缩合物或共水解缩合物即聚有机硅氧烷,式中,Y表示烷基、氟代烷基、乙烯基、氨基、苯基或环氧基,X表示烷氧基、乙酰基或卤素,n为0~3的整数。
10.根据权利要求5至9中任一项所述的有机电致发光元件的制造方法,其特征在于,
在所述润湿性变化层形成工序之前进行绝缘层形成工序,即在以图案状形成了所述电极层的基板上的所述电极层的图案的开口部,通过所述润湿性变化图案形成工序来形成将被照射的能量反射或吸收的绝缘层。
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