[发明专利]透明且导电的单壁碳纳米管有效
申请号: | 200780046669.2 | 申请日: | 2007-10-18 |
公开(公告)号: | CN101578666A | 公开(公告)日: | 2009-11-11 |
发明(设计)人: | Z·陈;A·G·兰兹勒 | 申请(专利权)人: | 佛罗里达大学研究基金公司 |
主分类号: | H01B1/04 | 分类号: | H01B1/04;C08K3/04 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 | 代理人: | 林柏楠;刘金辉 |
地址: | 美国佛*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 透明 导电 单壁碳 纳米 | ||
1.一种光学透明和导电的单壁碳纳米管(SWNT)膜,其包含:多个 单壁碳纳米管(SWNT),其中在整个所述膜上所述纳米管均匀互穿,纳米 管-纳米管的交迭没有阻碍,所述膜为10到1000nm厚,其中在100nm 厚度下,所述膜具有足够的互穿以提供小于200欧姆/sq的最大25℃薄层 电阻和在整个0.4μm到5μm波长范围内至少20%的光学透射率。
2.权利要求1的SWNT膜,其中所述膜的形态结构包含堆叠的平 面,所述SWNT在所述平面内具有随机的取向。
3.权利要求1的SWNT膜,其中所述光学透射率为至少30%。
4.权利要求1的SWNT膜,其中SWNT包括至少一种掺杂剂,其 中对于100nm厚的膜,所述薄层电阻小于50欧姆/平方。
5.权利要求4的SWNT膜,其中所述掺杂剂选自由卤素和石墨插 层剂组成的组。
6.权利要求1的SWNT膜,其中所述膜基本由所述SWNT组成, 其中所述SWNT构成多于99重量%的所述膜。
7.权利要求1的SWNT膜,其中所述膜包含80重量%到90重量 %的SWNT且进一步包含至少一种其他导电材料。
8.权利要求7的SWNT膜,其中所述其他导电材料包含金属,导 电氧化物,活性聚合物或它们的任意组合。
9.一种光学透明和导电的单壁碳纳米管(SWNT)膜,其包含: 多个单壁碳纳米管(SWNT),其中在整个所述膜上所述纳米管均匀互穿, 纳米管-纳米管的交迭没有阻碍,所述膜为10到240nm厚,其中在50nm 厚度处,所述膜具有足够的互穿以提供300欧姆/sq或更低的最大25℃薄 层电阻在整个0.4μm到0.75μm波长范围内至少70%的光学透射率。
10.权利要求9的SWNT膜,其中所述膜包含具有大约50nm厚的 掺杂的SWNT,其中在25℃下所述薄层电阻为大约60欧姆/sq且在0.4μm 到0.75μm的光学透射率为大约70%。
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