[发明专利]用于影响和/或检测作用区域中的磁性粒子的布置和方法

权利要求书

1.一种用于影响和/或检测作用区域(300)中的磁性粒子(100)的 设备(10)，所述设备包括：

选择装置(210)，所述选择装置用于生成其磁场强度具有空间图案的 磁选择场(211)，从而在所述作用区域(300)中形成具有低磁场强度的第 一子区(301)和具有较高磁场强度的第二子区(302)，

驱动装置(220)，所述驱动装置用于借助磁驱动场(221)改变所述作 用区域(300)中的两个所述子区(301，302)的空间位置，使得所述磁性 粒子(100)的磁化强度发生局部变化，

其中，所述选择装置(210)包括至少一个永磁体(270，210′)，其中 所述永磁体(270，210′)被高导电性屏蔽装置(271)至少部分屏蔽，其中， 所述高导电性屏蔽装置至少部分围绕所述永磁体或邻近所述永磁体并且具 有为所述磁驱动场的频率下的趋肤深度量级的厚度。

2.根据权利要求1所述的设备(10)，其中，以连接或沉积在所述永 磁体的材料上的相对高导电性的材料层的形式提供所述屏蔽装置。

3.根据权利要求1所述的设备(10)，其中，将所述屏蔽装置(271) 的构型设计成围绕所述永磁体(270，210′)的环或根据至少一个电流传播 方向对所述屏蔽装置(271)的构型进行设计。

4.根据权利要求1所述的设备(10)，其中，所述屏蔽装置(271)至 少部分包括李兹线或绞合线(250)和/或板状或箔状材料。

5.根据权利要求4所述的设备(10)，其中，所述李兹线(250)包括 多根单股线(255)，每根单股线均被高电阻材料(256)包围。

6.根据权利要求5所述的设备(10)，其中，所述李兹线(250)包括 多个具有多根单股线(255)的一级李兹线(251)，其中，所述李兹线(250) 包括多个一级李兹线(251)。

7.根据权利要求5所述的设备(10)，其中，所述李兹线(250)包括 多个一级李兹线(251)和多个二级李兹线(252)，其中，所述一级李兹线 (251)包括多根单股线(255)，其中，所述二级李兹线(252)包括多个 一级李兹线(251)，并且其中，所述李兹线(250)包括多个二级李兹线(252)。

8.根据权利要求5所述的设备(10)，其中，设置所述李兹线(250)， 使得处于给定工作频带中或穿透所述屏蔽装置(271)的给定变化电磁环境 中的屏蔽装置(271)的电阻基本最小。

9.根据权利要求5所述的设备(10)，其中，所述李兹线(250)所具 有的所述单股线(255)的总横截面面积相对于所述李兹线(250)的横截 面面积的比例为0.30到0.70，其中，所述比例为填充因子。

10.根据权利要求9所述的设备(10)，其中，所述李兹线(250)所 具有的所述单股线(255)的总横截面面积相对于所述李兹线(250)的横 截面面积的比例为0.40到0.60，其中，所述比例为填充因子。

11.根据权利要求10所述的设备(10)，其中，所述李兹线(250)所 具有的所述单股线(255)的总横截面面积相对于所述李兹线(250)的横 截面面积的比例为0.50，其中，所述比例为填充因子。

12.根据权利要求5所述的设备(10)，其中，所述李兹线(250)的 所述单股线(255)具有1μm到50μm的直径。

13.根据权利要求12所述的设备(10)，其中，所述李兹线(250)的 所述单股线(255)具有10μm到25μm的直径。

14.根据权利要求4-13中之一所述的设备(10)，其中，将不同李兹 线(250)之间的空间或所述李兹线(250)内部的空间用于一个或多个冷 却通道。