[发明专利]芯片温度传感器

权利要求书

1.一种传感器阵列，具有至少两个辐射传感器元件和至少两个衬底传感器元件，两种类型传感器元件的每种提供在半导体衬底上，其中所述辐射传感器元件构造成提供基于入射在所述辐射传感器元件上的辐射的变化的输出，并且所述衬底传感器元件构造成提供基于所述衬底在至少两个位置处的温度的输出，

其中所述半导体衬底包括在各辐射传感器元件与半导体衬底上其他元件之间提供热绝缘的沟槽布置，所述沟槽布置包括在第一衬底中蚀刻的两个相邻沟槽，两个沟槽的每个由热绝缘材料填充，以及各相邻沟槽由蚀刻区彼此隔离，该蚀刻区具有在至少一个所述沟槽的下方延伸从而在所述辐射传感器元件的至少一部分下方延伸的深度，

其中所述传感器阵列还包括形成在第二衬底中的盖布置，第一和第二衬底彼此相对布置以使得所述至少两个辐射传感器元件的至少一些具有提供于其上方的盖；以及其中第一和第二衬底彼此相对布置以便在所述盖和其下方的所述辐射传感器元件之间限定腔。

2.权利要求1的传感器阵列，其中所述衬底传感器元件布置在所述辐射传感器元件周围。

3.权利要求1的传感器阵列，其中所述辐射传感器元件可分为两种类型，两种类型的每种提供不同于另外一种的输出。

4.权利要求3的传感器阵列，其中第一类型包括盖，该盖允许通过该盖并且到达所述辐射传感器元件上的入射辐射的传导。

5.权利要求4的传感器阵列，其中第二类型包括盖，该盖修改传导通过该盖并且到达所述辐射传感器元件上的辐射。

6.权利要求5的传感器阵列，其中所述修改是阻挡入射在所述盖上的所有辐射以使得没有辐射传导通过而到达所述辐射传感器元件。

7.权利要求5的传感器阵列，其中所述修改是过滤入射在所述盖上并且直到所述辐射传感器元件的辐射的一部分。

8.权利要求4的传感器阵列，其中用于第一类型的辐射传感器元件的盖包括构造成提供入射辐射到该辐射传感器元件上的聚焦的光学元件。

9.权利要求5的传感器阵列，其中用于第二类型的辐射传感器元件 的盖包括反射该盖上入射的辐射的反射涂层。

10.权利要求5的传感器阵列，其中用于第二类型的辐射传感器元件的盖包括光学不透明涂层，从而防止通过该盖并到达该辐射传感器元件上的辐射的传导。

11.如权利要求1中的传感器阵列，其中提供有第一和第二辐射传感器元件，每个具有提供于其上方的盖，用于第一辐射传感器元件的盖允许通过并且到达第一辐射传感器元件上的辐射的传导，以及用于第二辐射传感器元件的盖修改通过并且到达第二辐射传感器元件上的辐射的传导，其中用于它们相应的传感器元件的每个盖在该盖和其下方的传感器元件之间限定腔，以及用于第一和第二辐射传感器元件的各腔彼此成流体连通。

12.如权利要求1中的传感器阵列，其中提供有第一和第二辐射传感器元件，每个具有提供于其上方的盖，用于第一辐射传感器元件的盖允许通过并且到达第一辐射传感器元件上的辐射的传导，以及用于第二辐射传感器元件的盖防止入射在该盖上的辐射的一部分传导通过并且到达第二辐射传感器元件上，其中用于它们相应的传感器元件的每个盖都在该盖和其下方的传感器元件之间限定腔，以及用于第一和第二辐射传感器元件的每个腔与用于第一和第二辐射传感器元件的另外的腔隔离。

13.如权利要求1中的传感器阵列，其中衬底是硅基衬底。

14.如权利要求1中的传感器阵列，其中辐射传感器元件为红外线传感器元件。

15.如权利要求8中的传感器阵列，其中至少一个光学元件为衍射光学元件。

16.如权利要求8中的传感器阵列，其中至少一个光学元件为折射光学元件。

17.如权利要求1中的传感器阵列，其中所述腔内的环境条件和成分能够被指定。

18.如权利要求17中的传感器阵列，其中所述腔设置在比周围压力低的压力下。

19.如权利要求17中的传感器阵列，其中所述腔填有为了所述传感器要被使用的应用而选择的气体成分。