[发明专利]具有热阻挡体的热传感器有效
申请号: | 200780046956.3 | 申请日: | 2007-10-17 |
公开(公告)号: | CN101563592A | 公开(公告)日: | 2009-10-21 |
发明(设计)人: | 威廉·莱恩;埃蒙·海因斯 | 申请(专利权)人: | 模拟装置公司 |
主分类号: | G01J5/06 | 分类号: | G01J5/06;H01L35/32 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人: | 王 萍;李春晖 |
地址: | 美国马*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 阻挡 传感器 | ||
1.一种热传感器,具有提供在第一衬底中的第一辐射感应元件,所述第一辐射感应元件提供指示该感应元件上的入射辐射强度的输出,所述传感器还包括位于第一辐射感应元件和共同位于相同的第一衬底上的热源之间的热阻挡体,所述热阻挡体包括至少一组沟槽,每组具有至少第一和第二沟槽,每组的各沟槽由排空的腔彼此隔开,所述热阻挡体与第一辐射感应元件和所述热源中的每个物理隔离。
2.如权利要求1中的传感器,其中所述热阻挡体的尺寸被形成为使得其在实质上与衬底的表面垂直的平面内垂直延伸进入所述衬底。
3.如权利要求1中的传感器,其中所述腔由除了空气之外的气体填充。
4.如权利要求1中的传感器,其中所述腔的尺寸被形成为使得其在第一辐射感应元件下方延伸。
5.如权利要求4中的传感器,其中在第一辐射感应元件周围环状地布置沟槽并且所述腔在该感应元件下方完全地延伸。
6.如权利要求1中的传感器,其中所述衬底由绝缘体上硅晶片形成并且所述热阻挡体向下延伸以到达所述晶片的绝缘体部分。
7.如权利要求1中的传感器,还包括形成在第一衬底中的第二辐射感应元件和形成在第二衬底中的第一和第二盖,第一和第二衬底彼此相对布置以使得第一和第二辐射感应元件的每个具有提供于其上方的相应的盖,其中用于第一辐射感应元件的盖允许通过该盖并到达该辐射感应元件上的入射辐射的传导,用于第二辐射感应元件的盖改变通过该盖并到达第二辐射感应元件上的辐射的传导,所述热阻挡体在第二辐射感应元件和共同位于第一衬底上的热源之间提供附加的热绝缘。
8.如权利要求7中的传感器,其中用于第一辐射感应元件的盖包括构造用于提供入射辐射到第一辐射感应元件上的聚焦的光学元件。
9.如权利要求7中的传感器,其中用于第二辐射感应元件的盖包括反射该盖上入射的辐射的反射涂层。
10.如权利要求7中的传感器,其中用于第二辐射感应元件的盖包括光学不透明涂层,从而防止通过该盖并到达第二辐射感应元件上的辐射的传导。
11.如权利要求7中的传感器,其中第一和第二衬底彼此相对的布置在每个盖和它们相应的辐射感应元件之间限定腔。
12.如权利要求11中的传感器,其中用于第一和第二辐射感应元件的各腔彼此成流体连通。
13.如权利要求11中的传感器,其中用于第一和第二辐射感应元件的每个腔与用于第一和第二辐射感应元件的另外的腔隔离。
14.如权利要求7中的传感器,其中第一和第二衬底由硅提供。
15.如权利要求7中的传感器,其中第一和第二辐射感应元件为红外线传感器元件。
16.如权利要求8中的传感器,其中至少一个光学元件为衍射光学元件。
17.如权利要求8中的传感器,其中至少一个光学元件为折射光学元件。
18.如权利要求11中的传感器,其中所述腔内的环境条件和成分能够被指定。
19.如权利要求18中的传感器,其中所述腔设置在低于周围压力的压力下。
20.如权利要求18中的传感器,其中所述腔填有为了传感器要被使用的应用而选择的气体成分。
21.如权利要求20中的传感器,其中所述气体成分包括具有比氮气的热导率低的热导率的气体。
22.如权利要求8中的传感器,其中所述光学元件形成在所述盖的内表面中、邻近所述辐射感应元件。
23.如权利要求8中的传感器,其中所述光学元件形成在所述盖的外表面中、远离所述辐射感应元件。
24.如权利要求8中的传感器,其中,在用于第一辐射感应元件的盖的内表面和外表面中都形成有光学元件,所述光学元件的组合形成复合透镜。
25.如权利要求8中的传感器,其中形成有多个辐射感应元件并且所述光学元件构造成选择性地引导特定波长的辐射到所述多个辐射感应元件的预先选定的辐射感应元件。
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