[发明专利]通过加热器表皮温度控制而净化H2/CO混合物有效
申请号: | 200780046964.8 | 申请日: | 2007-12-11 |
公开(公告)号: | CN101563145A | 公开(公告)日: | 2009-10-21 |
发明(设计)人: | C·莫内罗;G·罗德里格斯;S·雅莱 | 申请(专利权)人: | 乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司 |
主分类号: | B01D53/04 | 分类号: | B01D53/04;C01B3/56 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 | 代理人: | 林柏楠;刘金辉 |
地址: | 法国*** | 国省代码: | 法国;FR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 通过 加热器 表皮 温度 控制 净化 sub co 混合物 | ||
本发明涉及净化富含氢和一氧化碳的气体混合物(通常称为H2/CO混 合物或合成气)的吸附法,其中在低温处理所述气体混合物以制造富含CO 的级分和/或一种或多种具有指定含量的H2/CO混合物(例如50摩尔% H2/50摩尔%CO混合物)以及通常富氢的级分之前将其净化。
合成气混合物可以以几种方式获得,尤其是:
-通过蒸汽或CO2重整;
-通过部分氧化;
-通过混合法,例如,使用例如甲烷或乙烷的气体的ATR(自热重整) 法,其是蒸汽重整与部分氧化的结合;
-通过煤的气化;
-或回收的气体,例如乙炔制造装置下游的废气。
除了作为主要成分的氢和一氧化碳外,许多杂质,例如二氧化碳、水 或甲醇,常常构成合成气的一部分。
在净化法中,TSA(变温吸附)法是一种循环法,其中各吸附器在吸 附步骤(在此过程中,杂质留在吸附剂中)与再生步骤(在此过程中,特 别采用加热阶段从吸附剂中提取杂质)之间交替。这类装置的典型操作循 环已经描述在文献WO-A-03/049839中。
通常设计进行TSA净化法的装置以获得低温品质的合成气,即,使得 当所述合成气在低温箱中冷却时,任何杂质沉积物足够少,以确保所述低 温箱令人满意地运行数年,由此不会堵塞,不会使交换管线遭受热劣化, 也不会对设备安全带来危险。
这可以通过通常大约0.1ppm的最大残余CO2含量和甚至更低(大约 1ppb)的其它杂质的含量下实现。
为了限制对这些净化装置的干预,还设计这些净化装置,使得初始设 计余地足够宽,以确保正确运行数年而无需更换吸附剂。
尽管有所有这些预防措施,但结果发现这些装置的寿命大大短于初始 预期值。
在正常运行中,使用CO2分析器检查生成的气体的纯度。这使得循环 能够被改变,例如,如果检测到由如上所述的净化装置性能劣化引起的CO2过早释放,可以缩短吸附阶段。但是,事实是尽管有这些预防措施,在运 行几年后仍观察到用于低温分离合成气的该低温箱的分离性能劣化。
这种性能缺失归因于由热交换板上的固体沉积物引起的热交换劣化。
关闭该装置以将其加热(除冰),能够解决该问题,但是,当然,如 果这不是预先编程的关闭,则成本相当大。给定设计低温箱时所用的热交 换器的设计余地,仅仅在大于一年、更通常大约2至3年的相对长期运行 后才能觉察到这些效果。这种情况使得无法得知在运行超过一年后、在运 行几个月后或仅仅在运行几周后是否有痕量的杂质(推定为水和CO2)被 净化的合成气带入低温箱中。
已经报道,这种劣化源自吸附剂与被吸附物之间的化学反应和/或源自 合成气成分之间的反应,该吸附剂促进了这些反应。
H2/CO混合物的高温反应性事实上是公知的,但文献US-A-5,897,686 教导了在净化再增压阶段(其为再生过程的子步骤)发生的几种反应。上 述文献特别提到两种反应:
-甲烷化:CO+3H2→CH4+H2O;
-布杜阿尔反应:2CO→C+CO2。
根据该文献,遇到的问题归因于在吸附剂中生成了水,推荐的解决方 案是在吸附器顶部加装3A分子筛床,其通过不吸附CO而防止原位生成 所述水。该文献推荐100℃至400℃的再生温度,其一般地相当于大约 150/200℃至450/500℃的加热器表皮温度。
吸附剂表面上的次要组分沉积物也可能催化某些化学反应。金属(例 如铁、镍、铜等)的沉积物催化了前述反应。这些金属沉积物中的一部分 来源于净化过程上游生成的金属羰基化物的分解。
痕量杂质引起的吸附剂逐渐中毒(导致难以或不能再生所述吸附剂) 也是看似合理的假设,已知在合成反应器中可能产生非常大量的副反应产 物,其源自用作原料的煤或天然气,或可以从上游预净化工艺(如甲醇涤 气或胺涤气)夹带而来。
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