[发明专利]透明导电薄膜的反应性溅射沉积方法

权利要求书

1、一种用于溅射沉积一透明导电氧化物层的方法，包括：

将一基板提供至一制程室中；

通过一第一溅射沉积步骤而在该基板上形成一透明导电氧化物层的一第一部分；以及

通过一第二溅射沉积步骤而形成该透明导电氧化物层的一第二部分。

2、根据权利要求1所述的方法，其中上述的形成该透明导电氧化物层的该第一部分的步骤可更包括：

供应一第一气体混合物至该制程室中；

溅射来自设置在该制程室中的一靶材的一来源物质；以及

经溅射的该来源物质与该第一气体混合物产生反应。

3、根据权利要求1所述的方法，其中上述的形成该透明导电氧化物层的该第二部分的步骤可更包括：

供应一第二气体混合物至该制程室中；

溅射来自该靶材的该来源物质；以及

经溅射的该来源物质与该第二气体混合物产生反应。

4、根据权利要求2所述的方法，其中上述的供应该第一气体混合物的步骤更包括：

供应选自由O₂、N₂O、N₂、Ar、He及H₂O所组成的群组的该第一气体混合物。

5、根据权利要求2所述的方法，其中该第一气体混合物包括O₂及Ar。

6、根据权利要求2所述的方法，其中该靶材是由下列至少其中之一者制成：锌、锌合金、锌铝合金、锌镓合金及陶瓷氧化锌。

7、根据权利要求2所述的方法，其中上述的供应该第一气体混合物的步骤更包括：

在溅射期间调整该第一气体混合物的一流速。

8、根据权利要求2所述的方法，其中上述的溅射来自该靶材的该来源物质的步骤更包括：

施加一第一功率至该靶材。

9、根据权利要求8所述的方法，其中上述的施加该第一功率的步骤更包括：

在该第一溅射沉积步骤期间调整施加至该靶材的该第一功率。

10、根据权利要求3所述的方法，其中上述的形成该透明导电氧化物层的该第二部分的步骤更包括：

供应选自由O₂、N₂O、N₂、Ar、He及H₂O所组成的群组的该第二气体混合物。

11、根据权利要求3所述的方法，其中该第二气体混合物包括O₂及Ar。

12、根据权利要求3所述的方法，其中上述的供应该第二气体混合物的步骤更包括：

在溅射期间调整该第二气体混合物的一流速。

13、根据权利要求3所述的方法，其中上述的溅射来自该靶材的该来源物质的步骤更包括：

施加一第二功率至该靶材。

14、根据权利要求13所述的方法，其中上述的施加该第二功率的步骤更包括：

在该第二溅射沉积步骤期间调整施加至该靶材的该第二功率。

15、根据权利要求1所述的方法，其中该透明导电氧化物层是用作为一光伏元件中的一背反射板。

16、一种用于溅射沉积一透明导电氧化物层的方法，包括：

将一基板提供至一制程室中；

供应一气体混合物至该制程室中；

溅射来自设置在该制程室中的一靶材的一来源物质而沉积一透明导电氧化物层的一第一部分；

在溅射期间调整供应至该制程室的该气体混合物的一流速；以及

在该基板上形成该透明导电氧化物层的一第二部分。

17、根据权利要求16所述的方法，其中上述的溅射来自该靶材的该来源物质的步骤更包括：

在溅射期间调整施加至该靶材的一功率。

18、根据权利要求16所述的方法，其中该透明导电氧化物层为氧化锌层。

19、根据权利要求16所述的方法，其中该气体混合物是选自由O₂、N₂O、N₂、Ar、He及H₂O所组成的群组。