[发明专利]被测物相对于传感器的位置和/或位置变化的测定方法及测定用的传感器装置有效
申请号: | 200780047304.1 | 申请日: | 2007-12-21 |
公开(公告)号: | CN101563585A | 公开(公告)日: | 2009-10-21 |
发明(设计)人: | V·蒙德尼科夫 | 申请(专利权)人: | 微-埃普西龙测量技术有限两合公司 |
主分类号: | G01D5/20 | 分类号: | G01D5/20;G01D5/22;G01B7/00;H01H36/00;H03K17/95 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人: | 李 玲 |
地址: | 德国奥*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 被测物 相对于 传感器 位置 变化 测定 方法 装置 | ||
1.一种被测物相对于传感器的位置或位置变化的测定方法,其中所述传感器 具有施加以交流电的传感线圈,其特征在于,金属薄片的磁导率变化由分配给软磁金 属薄片中被测物的磁铁所产生,其磁导率在磁场的作用下随磁场的场强变化而变化并 安排在传感器的作用范围内,所述金属薄片的磁导率变化由传感器上的反馈来确定并 由其测定被测物相对于传感器的位置或位置变化,并且磁场由以直流电激发的补偿线 圈产生,通过磁场影响金属薄片或部分金属薄片的磁导率。
2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述直流电被调整以使得传感线圈 建立基本上恒定的磁场。
3.如权利要求1所述的方法,其特征在于,用以下步骤对传感器进行校准:
以步宽δh对在相对于传感器的多个位置h上的被测物定位;
向传感线圈供交流电;
测定每一位置上的传感线圈的阻抗Z和/或相对阻抗变化ΔZ/Z;
确定传感线圈的相对敏感度S对被测物的位置h的相关性特征,其中
确定特征中的位置h0,在该位置上假定相对敏感度S达最大值;
储存复阻抗Z0的值,其相应于在非易失性存储器中的位置h0;
向补偿线圈供直流电;
测定每一位置h上传感线圈的阻抗Z和/或相对阻抗变化ΔZ/Z,其中所述传感 线圈、所述补偿线圈以及磁铁的磁场都作用在金属薄片上;
使直流电在测量范围±Δh内变化直至达到已储存的阻抗目标值;以及
确定直流电与被测物的位置变化的相关性。
4.如权利要求2所述的方法,其特征在于,用以下步骤对传感器进行校准:
以步宽δh对在相对于传感器的多个位置h上的被测物定位;
向传感线圈供交流电;
测定每一位置上的传感线圈的阻抗Z和/或相对阻抗变化ΔZ/Z;
确定传感线圈的相对敏感度S对被测物的位置h的相关性特征,其中
确定特征中的位置h0,在该位置上假定相对敏感度S达最大值;
储存复阻抗Z0的值,其相应于在非易失性存储器中的位置h0;
向补偿线圈供直流电;
测定每一位置h上传感线圈的阻抗Z和/或相对阻抗变化ΔZ/Z,其中所述传感 线圈、所述补偿线圈以及磁铁的磁场都作用在金属薄片上;
使直流电在测量范围±Δh内变化直至达到已储存的阻抗目标值;以及
确定直流电与被测物的位置变化的相关性。
5.如权利要求1至4中任何一项所述的方法,其特征在于,对阻抗或它的变化 进行测定以检测由所述金属薄片的磁导率变化而在传感线圈产生的反馈,其中确定 传感线圈的复阻抗的实部Re{Z}和虚部Im{Z}以及其比率D=Re{Z}/Im{Z}。
6.如权利要求2所述的方法,其特征在于,在跟踪控制中通过闭合控制回路调 整经补偿线圈的直流电的大小。
7.如权利要求3或4所述的方法,其特征在于,在跟踪控制中通过闭合控制回 路调整经补偿线圈的直流电的大小。
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