[发明专利]半导体装置和半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，包括透明衬底、透明绝缘体膜A、栅极和半导体层，所述透明绝缘体膜A设置在所述透明衬底的一个主表面上，且形成有到达该主表面的沟道，所述栅极形成于所述沟道内，且栅极的表面与上述透明绝缘体膜A的表面持平，所述半导体层隔着栅极绝缘膜设置在上述栅极上，其中，

所述栅极绝缘膜至少包括两层，且所述栅极绝缘膜的至少一层为透明绝缘体膜B，所述透明绝缘体膜B由以MO重复单元为主要骨架、且其组成为以R_xMO_y表示的一种或两种以上的氧化物构成，式中，R为不可水解的取代基；M表示选自Si、Ti、Al、Zr、Zn、Sn以及In中的任一元素；x表示0～3的整数；y满足下述式(m-x)/2＜y＜m-x-0.5，m为M的化学价数。

2.权利要求1所述的半导体装置，其中，所述透明绝缘体膜B是通过涂布涂布液而形成的透明绝缘体涂布膜。

3.权利要求1所述的半导体装置，其中，所述透明绝缘体膜B的表面粗糙度Ra为5nm以下。

4.权利要求2所述的半导体装置，其中，所述透明绝缘体膜B的表面粗糙度Ra为5nm以下。

5.权利要求1所述的半导体装置，其中，设所述透明绝缘体膜B的厚度为d，d的单位为设介电常数为ε时，满足280＞d/ε的关系。

6.权利要求2所述的半导体装置，其中，设所述透明绝缘体膜B的厚度为d，d的单位为设介电常数为ε时，满足280＞d/ε的关系。

7.权利要求3所述的半导体装置，其中，设所述透明绝缘体膜B的厚度为d，d的单位为设介电常数为ε时，满足280＞d/ε的关系。

8.权利要求4所述的半导体装置，其中，设所述透明绝缘体膜B的厚度为d，d的单位为设介电常数为ε时，满足280＞d/ε的关系。

9.一种用于形成权利要求2～8中任一项所述的透明绝缘体膜B的涂布剂，其由将下述缩合物溶解或分散在有机溶剂、水或它们的混合溶剂中而得到的混合液中的一种制成，或者将两种以上的上述混合液进行混合而得到，

所述缩合物由R_xMX_m-x所表示的化合物进行水解缩合反应而得到，式中，R表示不可水解的取代基；M表示选自Si、Ti、Al、Zr、Zn、Sn以及In中的任一元素；X表示可水解的取代基，x表示0～3的整数，m表示M的化学价数。

10.一种用于形成权利要求2～8中任一项所述的透明绝缘体膜B的涂布剂，其按下述方法得到：使一种或两种以上的由R_xMX_m-x表示的化合物进行水解缩合反应，并将得到的缩合物溶解或分散在有机溶剂、水或它们的混合溶剂中，式中，R表示不可水解的取代基；M表示选自Si、Ti、Al、Zr、Zn、Sn以及In中的任一元素；X表示可水解的取代基，x表示0～3的整数，m为M的化学价数。

11.权利要求9所述的涂布剂，其中，所述可水解的取代基X为烷氧基。

12.权利要求10所述的涂布剂，其中，所述可水解的取代基X为烷氧基。

13.权利要求1～8中任一项所述的半导体装置，其中，所述栅极绝缘膜还包括通过CVD法形成且介电常数为4以上的绝缘体膜C。

14.权利要求13所述的半导体装置，其中，所述绝缘体膜C为透明的，且铺设在所述透明绝缘体膜B的上部。

15.一种半导体装置，包括透明衬底、透明绝缘体膜A、栅极和半导体层，所述透明绝缘体膜A设置在该透明衬底的一个主表面上，且形成有到达该主表面的沟道，所述栅极形成于该沟道内，且栅极的表面与上述透明绝缘体膜A的表面持平，所述半导体层隔着栅极绝缘膜设置在上述栅极上，其中，所述栅极绝缘膜至少包括两层，且所述栅极绝缘膜的至少一层为经过150～300℃温度范围的加热而形成的透明绝缘体膜B，所述透明绝缘体膜B的浊度Hz为3％以下，透过率Tt为80％以上。

16.权利要求15所述的半导体装置，其中，所述透明绝缘体膜B是通过涂布涂布液而形成的透明绝缘体涂布膜。

17.权利要求15所述的半导体装置，其中，所述透明绝缘体膜B的表面粗糙度Ra为5nm以下。