[发明专利]发光器件无效
申请号: | 200780047636.X | 申请日: | 2007-12-14 |
公开(公告)号: | CN101568865A | 公开(公告)日: | 2009-10-28 |
发明(设计)人: | 胡贝特·奥特;艾尔弗雷德·莱尔;乌韦·施特劳斯;福尔克尔·黑勒;诺贝特·斯塔特 | 申请(专利权)人: | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 |
主分类号: | G02B6/00 | 分类号: | G02B6/00 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人: | 王 萍;陈 炜 |
地址: | 德国雷*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 器件 | ||
1.一种发光器件,包括:
-辐射源(5),用于发射具有至少第一波长的辐射(11),以及
-伸长的、弯曲的光导体(20),由该辐射源发射的所述辐射(11) 耦合到该光导体(20)中,并且该光导体(20)根据所耦合输入的、具有 所述第一波长的辐射(11)而相对于该光导体的纵轴以一角度耦合输出光 (12)。
2.根据权利要求1所述的发光器件,其中辐射源(5)被设置用于发 射与红色、绿色和蓝色对应的辐射。
3.根据权利要求1或者2所述的器件,其中光导体(20)具有将具 有所述第一波长的辐射(11)转换成具有更长的第二波长的光(12)的转 换器材料(15)。
4.根据权利要求3所述的器件,其中辐射源(5)包括短波辐射源、 特别是紫外激光二极管。
5.根据权利要求3或者4所述的器件,其中转换器材料(15)选自 于以下化合物:Ca8Mg(SiO4)4Cl2:Eu2+,Mn2+;Y2O3:Eu2+,Bi3+;(Sr,Ba, Ca)5(PO4)3Cl:Eu2+;BaMgAl10O17:Eu2+;SrMgAl10O17:Eu2+; Ba3Al28O45:Eu2+;(Sr,Ba)2Al6O11:Eu2+;SrAl2O4:Eu2+;M2Si5N5N8:Eu2+, 其中M=Ca或者Sr;AGa2S4:Eu2+,Ce2+,其中A选自于Ca、Sr、Ba、 Zn和Mg;(A,Sr)S:Eu2+,其中A=碱土金属离子;以及BaMg2Al16O27: Eu2+。
6.根据权利要求3至5之一所述的器件,其中光导体(20)的表面 以转换器材料(15)涂覆或者印刷。
7.根据权利要求3至6之一所述的器件,其中转换器材料(15)包 括封闭于光导体(20)中的纳米粒子。
8.根据权利要求3至7之一所述的器件,其中反射具有所述第一波 长的辐射(11)而透射具有第二波长的光(12)的层(45)设置于光导体 (20)处或者其上。
9.根据权利要求1至8之一所述的器件,其中光导体(20)包括玻 璃纤维。
10.根据权利要求1至9之一所述的器件,其中光导体(20)形成二 维区域。
11.根据权利要求10所述的器件,其中光导体(20)以曲折或者螺 旋或者蛇形方式来实施。
12.根据权利要求1至11之一所述的器件,其中光学部件(60)布 置于从光导体(20)耦合输出的光(12)的光束路径中。
13.根据权利要求1至12之一所述的器件,其中使光导体(20)的 表面变粗糙。
14.根据权利要求1至13之一所述的器件,其中提供光波导(10), 具有所述第一波长的辐射(11)经由光波导(10)耦合到光导体(20)中。
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