[发明专利]配置为发射多个波长的光的半导体发光器件

权利要求书

1.一种半导体发光器件，包括：

具有多个开口的掩模层(24)；

III族氮化物结构，包括：

多个对应于该掩模层中的开口的半导体材料的柱形物，每个柱形 物包括发光层(28)，其中该多个柱形物由绝缘材料(25)分开；

其中：

每个发光层被布置在n型区(26)和p型区(30)之间；

位于第一柱形物中的第一发光层被配置为与位于第二柱形物中的 第二发光层相比发射不同波长的光；并且

第一柱形物具有不同于第二柱形物的直径，并且

其中柱形物的尺寸被选择为使得柱形物能够横向膨胀以调节柱形 物内不同成分的层之间的晶格常数的差异。

2.如权利要求1所述的器件，其中所述III族氮化物结构还包括布置 在所述多个柱形物上方的半导体材料的平面层(32)。

3.如权利要求1所述的器件，其中所述多个柱形物在与所述掩模层 的表面平行的平面中的截面的至少90％被柱形物占据。

4.如权利要求1所述的器件，其中所述多个柱形物中的一部分被配 置为发射蓝光，所述多个柱形物中的一部分被配置为发射绿光，并且 所述多个柱形物中的一部分被配置为发射红光。

5.如权利要求1所述的器件，其中第一发光层(28)具有与第二发 光层(28)不同的InN成分。

6.如权利要求1所述的器件，其中所述掩模层(24)包括硅和氮。

7.如权利要求1所述的器件，其中每个所述柱形物具有小于150nm 的直径。

8.如权利要求1所述的器件，其中所述柱形物具有介于50nm和3μm 之间的高度。

9.如权利要求1所述的器件，其中所述绝缘材料(25)是空气。

10.如权利要求1所述的器件，其中所述发光层(28)具有大于50 埃的厚度。

11.如权利要求1所述的器件，其中所述发光层(28)掺杂有硅， 其掺杂浓度在1×10¹⁸cm^-3和1×10²⁰cm^-3之间。

12.如权利要求1所述的器件，还包括：

电连接到所述n型区和p型区的触点(68，70)；和

布置在所述III族氮化物半导体结构上方的覆盖物(108)。

13.如权利要求1所述的器件，其中第一发光层中的晶体结构受到 的应变小于第二发光层中的晶体结构。