[发明专利]成膜装置和成膜方法有效
申请号: | 200780047845.4 | 申请日: | 2007-11-29 |
公开(公告)号: | CN101568993A | 公开(公告)日: | 2009-10-28 |
发明(设计)人: | 森崎英介;小林洋克;吉川润;泽田郁夫;木本恒畅;川本典明;明田正俊 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社;罗姆股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/205 | 分类号: | H01L21/205;C23C16/42;C23C16/46 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 | 代理人: | 龙 淳 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 装置 方法 | ||
1.一种成膜装置,其特征在于,包括:
内部被保持为减压空间的处理容器;
由以碳为主要成分的材料构成,保持基板的基板保持部;
配置在所述处理容器的外侧,对所述基板保持部进行感应加热的线圈;
绝热部件保持构造体,构成为使覆盖所述基板保持部的绝热部件从所述处理容器离开而配置,该绝热部件保持构造体将所述减压空间分离为设置有所述基板保持部和所述绝热部件的成膜气体供给空间、和在所述处理容器与所述绝热部件之间被划分形成的绝热空间;
向所述成膜气体供给空间供给成膜气体的气体供给机构;和
向所述绝热空间供给冷却气体的气体线路。
2.如权利要求1所述的成膜装置,其特征在于:
所述绝热部件由以碳作为主要成分的多孔状的材料构成,并且该绝热部件的热传导率和所述基板保持部的热传导率不同。
3.如权利要求2所述的成膜装置,其特征在于:
在所述绝热部件的表面上形成有碳类的涂敷膜。
4.如权利要求1所述的成膜装置,其特征在于:
所述处理容器由石英构成。
5.如权利要求1所述的成膜装置,其特征在于:
所述基板保持部具有能够保持多个所述基板的被加热载置台和在该被加热载置台的周围形成的被加热构造体,
该被加热构造体具有相互相对的两个开口部,
从所述两个开口部中的一个开口部供给所述成膜气体,从另一个开口部排出该成膜气体。
6.如权利要求5所述的成膜装置,其特征在于:
所述被加热载置台能够保持载置有多个所述基板的搬送板,
该搬送板以规定的旋转轴为中心进行旋转。
7.如权利要求6所述的成膜装置,其特征在于:
所述处理容器与在内部具有搬送部的搬送室连接,
通过该搬送部,所述搬送板被搬入到所述被加热载置台上或从所述被加热载置台上被搬出。
8.如权利要求1所述的成膜装置,其特征在于:
在所述基板上形成与所述成膜气体对应的膜。
9.一种成膜方法,其使用成膜装置在基板上形成规定的膜,该成膜装置构成为,包括:
内部被保持为减压空间的处理容器;
由以碳为主要成分的材料构成,保持基板的基板保持部;
配置在所述处理容器的外侧,对所述基板保持部进行感应加热的线圈;
绝热部件保持构造体,构成为使覆盖所述基板保持部的绝热部件从所述处理容器离开而配置,该绝热部件保持构造体将所述减压空间分离为设置有所述基板保持部和所述绝热部件的成膜气体供给空间、和在所述处理容器与所述绝热部件之间被划分形成的绝热空间;
向所述成膜气体供给空间供给成膜气体的气体供给机构;和
向所述绝热空间供给冷却气体的气体线路,
该成膜方法的特征在于,具有:
将多个所述基板载置在搬送板上的工序;
将载置有多个所述基板的所述搬送板搬送到所述基板保持部的被加热载置台上的工序;
使所述被加热载置台以规定的速度旋转的工序;
向所述成膜气体供给空间供给所述成膜气体的工序;
通过所述线圈对所述基板保持部进行加热的工序;和
从所述处理容器搬出载置有多个所述基板的所述搬送板的工序。
10.如权利要求9所述的成膜方法,其特征在于:
还具有向所述成膜装置的所述绝热空间供给用于冷却所述处理容器的冷却介质的工序。
11.如权利要求9所述的成膜方法,其特征在于:
所述成膜气体包含以Si和C为主要成分的气体。
12.如权利要求9所述的成膜方法,其特征在于:
所述成膜气体包含以CxHy表示的气体,其中,x、y为整数。
13.如权利要求9所述的成膜方法,其特征在于:
在加热所述基板保持部的工序中,所述基板保持部被感应加热,使得所述基板达到1200℃以上。
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