[发明专利]电场减少的显示设备无效

专利信息
申请号: 200780048246.4 申请日: 2007-12-21
公开(公告)号: CN101595423A 公开(公告)日: 2009-12-02
发明(设计)人: 道奇·D·达斡尔曼;罗伯特·D·波拉克;克里斯托弗·J·斯皮克 申请(专利权)人: 摩托罗拉公司
主分类号: G02F1/1333 分类号: G02F1/1333;G02F1/1345;G02F1/1343
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 代理人: 刘光明;穆德骏
地址: 美国伊*** 国省代码: 美国;US
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 电场 减少 显示 设备
【权利要求书】:

1.一种方法,包括:

在第一基板上形成第一电极;

在第二基板上形成第二电极;

在第一电极和第二电极之间放置光学活性材料晶体材料层;

在第一电极和第二电极之间施加电压V(e)以产生电场;

提供具有由空隙限定的至少一个区域的电介质材料层;以及

利用所述电介质材料层来减少除了由所述空隙限定的区域中以外 的电场。

2.根据权利要求1所述的方法,其中,所述形成第一电极的步骤 包括:

在第一基板上形成图案化的电极。

3.根据权利要求2所述的方法,其中,所述形成第二电极的步骤 包括:

在第二基板上形成非图案化的电极。

4.根据权利要求2所述的方法,进一步包括:

在图案化的电极上印刷电介质材料。

5.根据权利要求4所述的方法,其中,所述印刷步骤包括:

在图案化的电极上印刷氧化钛层。

6.根据权利要求1所述的方法,其中,所述施加电压的步骤包括:

产生电场,以创建由所述空隙限定的照明区域。

7.根据权利要求1所述的方法,进一步包括:

选择光学活性材料,使得当施加的电压V(a)低于阈值电压V(t)时, 该光学活性材料以第一模式操作,当V(a)高于阈值电压V(t)时,该光 学活性材料以第二模式操作。

8.根据权利要求7所述的方法,其中,所述提供电介质材料的步 骤使得当施加了V(e)时,在所述电介质材料上发生压降V(d)。

9.根据权利要求8所述的方法,其中,所述提供电介质材料的步 骤包括:

选择电介质材料,使得V(t)大于V(e)减去V(d)。

10.根据权利要求1所述的方法,其中,所述提供电介质材料层 的步骤包括:

提供电介质材料层,使得该电介质材料层的厚度小于或等于液晶 材料层的厚度。

11.根据权利要求1所述的方法,进一步包括:

选择所述光学活性材料为液晶材料。

12.一种操作显示器的方法,所述显示器包括在第一基板上的第 一电极、在第二基板上的第二电极以及位于第一基板与第二基板之间 的光学活性材料层,所述方法包括:

在第一电极和第二电极之间施加电压V(e)以创建电场,所述电场 穿过所述光学活性材料层;以及

通过利用位于第一电极上的电介质材料,减少至少部分所述电场, 以在显示器中创建至少一个非可视区域。

13.根据权利要求12所述的方法,其中,所述阻止步骤包括:

将具有至少一个空隙的电介质材料层放置在第一电极上,其中, 所述至少一个空隙在显示器中限定了至少一个可视区域。

14.根据权利要求13所述的方法,其中,所述放置步骤包括:

在施加电压之前将电介质材料层印刷在第一电极上。

15.根据权利要求12所述的方法,进一步包括:

选择电介质材料,使得当将V(e)施加到第一电极和第二电极时, 在电介质材料上发生压降V(d)。

16.根据权利要求15所述的方法,其中,所述选择电介质材料的 步骤包括:

选择电介质材料,使得V(e)-V(d)小于所述光学活性材料的阈值电 压。

17.根据权利要求16所述的方法,其中,所述选择电介质材料的 步骤包括:

选择氧化钛作为电介质材料。

18.根据权利要求17所述的方法,其中,所述选择电介质材料的 步骤包括:

选择电介质材料以便该电介质材料的厚度小于或等于所述光学活 性材料的厚度。

19.根据权利要求12所述的方法,其中,所述光学活性材料是液 晶乳化材料。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于摩托罗拉公司,未经摩托罗拉公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200780048246.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top