[发明专利]用于生产沉淀二氧化硅材料的高电解质添加剂

权利要求书

1.一种制造研磨二氧化硅材料的方法，其中所述方法包括下面的顺序步骤：

a)在高剪切混合条件下，任选地在以相比于第一量的硅酸盐的干重以重量对重量计5％到25％的量存在的至少一种电解质存在下，使所述第一量的硅酸盐与第一量的酸一起反应，以形成第一二氧化硅材料；以及

b)在所述第一二氧化硅材料的存在下，任选地在以相比于第二量的硅酸盐的干重以重量对重量计5％到25％的量存在的至少一种电解质存在下，使所述第二量的硅酸盐与第二量的酸一起反应，以在所述第一二氧化硅材料的表面上形成密相的涂层，由此形成涂覆二氧化硅的二氧化硅材料；

其中所述至少一种电解质存在于所述步骤“a”或“b”的任一步中或存在于两个步骤的过程中，且其中任选地在高剪切混合条件下实施所述步骤“b”。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述至少一种电解质以相比于所述第一量的所述硅酸盐或所述第二量的所述硅酸盐中的任一种的干重以重量对重量计6％到21％的量存在。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述至少一种电解质选自由碱金属盐、碱土金属盐及其组合组成的组。

4.根据权利要求3所述的方法，其中所述至少一种电解质选自由硫酸钠、氯化钠、氯化钙及其任何混合物组成的组。

5.根据权利要求4所述的方法，其中所述至少一种电解质是硫酸钠。

6.根据权利要求2所述的方法，其中所述至少一种电解质选自由碱金属盐、碱土金属盐及其组合组成的组。

7.根据权利要求6所述的方法，其中所述至少一种电解质选自由硫酸钠、氯化钠、氯化钙及其任何混合物组成的组。

8.根据权利要求7所述的方法，其中所述至少一种电解质是硫酸钠。

9.一种由根据权利要求1所述的方法生产的二氧化硅产品，其中二氧化硅颗粒具有大于约85％的百分数氯化十六烷基吡啶鎓(％CPC)相容性。

10.根据权利要求9所述的二氧化硅产品，其中所述二氧化硅颗粒具有大于约87％的％CPC相容性。

11.根据权利要求10所述的二氧化硅产品，其中所述二氧化硅颗粒具有大于约90％的％CPC相容性。

12.一种由根据权利要求2所述的方法生产的二氧化硅产品，其中二氧化硅颗粒具有大于约85％的百分数氯化十六烷基吡啶鎓(％CPC)相容性。

13.根据权利要求12所述的二氧化硅产品，其中所述二氧化硅颗粒具有大于约87％的％CPC相容性。

14.根据权利要求13所述的二氧化硅产品，其中所述二氧化硅颗粒具有大于约90的％CPC相容性。