[发明专利]高散热性基片的制造方法有效
| 申请号： | 200780048700.6 | 申请日： | 2007-02-08 |
| 公开（公告）号： | CN101573786A | 公开（公告）日： | 2009-11-04 |
| 发明（设计）人： | 奥列格·科农丘克;法布里斯·勒泰特;罗伯特·朗格 | 申请（专利权）人： | 硅绝缘体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 丁香兰;庞东成 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 散热 性基片 制造 方法 | ||
1.增加复合结构体的高散热性的方法，所述结构体包含：
由多晶材料制成的支持基片，所述支持基片的散热性大于具有相同尺寸的大块单晶硅基片的散热性；
与所述支持基片结合的由结晶材料制成的顶层；和
在所述支持基片与所述顶层的结合界面处形成的氧化物层，
所述方法的特征在于其包括以下步骤：以预定温度和预定的持续时间、在惰性或还原性氛围中对所述结构体进行热处理，从而分解至少部分所述氧化物层。
2.如权利要求1所述的增加复合结构体的高散热性的方法，其中，在所述分解步骤之前，在所述支持基片上和/或在所述顶层上形成所述氧化物层，并且所述顶层与所述基片接触从而使所述氧化物层位于界面处。
3.如权利要求1或2所述的增加复合结构体的高散热性的方法，其中，所述方法还包括提供其中具有所述顶层的供体基片，和在所述支持基片所述顶层结合的步骤和热处理步骤之间缩减所述供体基片的厚度，从而仅保留与所述支持基片结合的所述顶层。
4.如权利要求3所述的增加复合结构体的高散热性的方法，所述方法还包括在提供所述顶层之前，在所述供体基片中注入原子物种的步骤，以在所述顶层下形成弱化区，并且其中所述供体基片的所述缩减包括供应能量从而在所述弱化区使所述顶层与供体分离。
5.如权利要求1或2所述的增加复合结构体的高散热性的方法，其中，所述预定温度为1100℃～1300℃。
6.如权利要求1或2所述的增加复合结构体的高散热性的方法，其中，所述预定温度为1200℃～1300℃。
7.如权利要求1或2所述的增加复合结构体的高散热性的方法，其中，所述预定的持续时间为2小时。
8.如权利要求1或2所述的增加复合结构体的高散热性的方法，其中，所述氧化物层在所述支持基片与所述顶层结合后所具有的厚度为10nm～1000nm。
9.如权利要求1或2所述的增加复合结构体的高散热性的方法，其中，所述氧化物层在所述支持基片与所述顶层结合后所具有的厚度为25nm～50nm。
10.如权利要求4所述的增加复合结构体的高散热性的方法，其中，在所述顶层与所述供体分离后所述顶层所具有的厚度为25nm～1000nm。
11.如权利要求4所述的增加复合结构体的高散热性的方法，在所述顶层与所述供体分离后所述顶层所具有的厚度为100nm。
12.如权利要求1或2所述的增加复合结构体的高散热性的方法，其中，所述顶层由碳化硅和/或<111>硅制成。
13.如权利要求1或2所述的增加复合结构体的高散热性的方法，其中，所述热处理在氢氛围、氩氛围或氢和氩的混合氛围下进行。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
