[发明专利]光电子装置以及用于操作光电子装置的方法

说明书

本发明涉及一种光电子装置以及一种用于操作光电子装置的方 法。

该专利申请要求德国专利申请102006061941.2的优先权，其公 开内容以此通过引用的方式纳入本文中。

光电子装置可以包括多个发光二极管。光电子装置的发射光谱由 各个发光二级管的发射光谱产生。根据在批量制造时的发光二极管的 发射光谱的散射，可能要非常费事地在预先设定的区间内获得光电子 装置的辐射的颜色坐标。

在文件WO 2006/002607中已知一种包括两个发光二极管的发光 二极管装置。这两个发光二级管彼此反并联(并联反向)地连接。该发 光二极管装置包括为两个发光二极管提供具有变换方向的电流的设 备。

文件US 5,861,990描述了一种用于组合光学散射和聚焦的装置， 其中材料的第一表面从入射角的区域中接收光，并且该材料的第二表 面在反射角的区域中发出光。

本发明的目的在于，提供一种光电子装置和用于操作这种光电子 装置的方法，所述光电子装置可以对光电子装置的辐射进行灵活地调 节。

本发明的目的利用权力要求1的主题以及根据权利要求23的方 法来实现。改进方案和设计方案分别是从属权利要求的主题。

根据本发明的光电子装置包括功率发光二级管和调节发光二级 管。可由功率发光二级管来提供第一电磁辐射。可由调节发光二极管 发出第二电磁辐射。第一辐射具有第一发射光谱并且第二辐射具有第 二发射光谱。光电子装置的总辐射包括第一辐射和第二辐射。

其优点在于，光电子装置的总辐射的主要部分借助功率发光二极 管来实现。为了获得可预先设定的总辐射，由调节发光二级管提供的 第二辐射加入第一辐射。

优选地，第二发射光谱不同于第一发射光谱。第一发射光谱可以 包括不同于由第二发射光谱所包括的波长的第一波长。第二发射光谱 可以包括不同于由第一发射光谱所包括的波长的第二波长。可选择 地，第一和第二发射光谱包括同一波长，其中在第一发射光谱中的第 一强度分布与在第二发射光谱中的第二强度分布不同。

在一实施形式中，使用调节发光二级管来精确地调节总辐射的发 射光谱。

在一实施形式中，在可预先设定的区间内由此获得光电子装置的 总辐射的颜色坐标，使得将第二辐射混合到第一辐射。在此利用颜色 坐标标示出在CIE色度图(英语为CIE chromaticity diagram)中的X坐 标和Y坐标。其优点在于，由此仅通过操作功率发光二级管来获得的 且未处于预先设定的区间内的颜色坐标借助于由调节发光二极管发 射的第二辐射如此被位移，使得由第一和第二辐射组成的总和在预先 设定的区间内得出颜色坐标。

在一实施形式中，第一半导体(英语称为die或chip)具有功率发光 二级管，并且第二半导体具有调节发光二极管。

在一改进方案中，第一半导体具有从其射出具有第一发射光谱的 第一辐射的第一辐射出射面，并且第二半导体具有从其射出具有第二 发射光谱的第二辐射的第二辐射出射面。在一实施形式中，第一辐射 出射面至少比第二辐射出射面大4倍。优选地，第一辐射出射面比第 二辐射出射面大5倍。第一辐射和第二辐射的强度比例随第一辐射出 射面和第二辐射出射面的面积比例变化。

在一实施形式中，光电子装置包括载体，在其上固定有第一和第 二半导体。所述载体可以形成为用于第一和第二半导体的壳体。

在一改进方案中，第一电功率输送给功率发光二极管，并且第二 电功率提供给调节发光二极管。在一实施形式中，第一电功率的数值 至少比第二电功率的数值大4倍。优选地，第一电功率的数值比第二 电功率的数值大5倍。可以利用第一电功率与第二电功率的比例来调 节第一辐射与第二辐射的强度比例。在一优选的实施形式中，第一辐 射按照数值比第二辐射更大。

在一实施形式中，如此设置第二发射光谱和第二电功率，使得光 电子装置的总辐射的颜色坐标在CIE色度图中的预先设定区间内。

在一实施形式中，光电子装置包括至少一个另外的调节发光二极 管。对此，设置至少一个另外的调节发光二极管来发射至少一个另外 的辐射。至少一个另外的辐射具有至少一个另外的发射光谱。因此光 电子装置的总辐射附加地还包括至少一个另外的辐射。

优选地，至少一个另外的发射光谱不同于第一发射光谱并且同样 不同于第二发射光谱。