[发明专利]电子部件存放容器无效
申请号: | 200780049072.3 | 申请日: | 2007-03-16 |
公开(公告)号: | CN101573277A | 公开(公告)日: | 2009-11-04 |
发明(设计)人: | 长谷川雄二;安藤幸男;笹村计一;桥场英靖 | 申请(专利权)人: | 富士通微电子株式会社 |
主分类号: | B65D85/86 | 分类号: | B65D85/86;B65D1/36;B65D21/02;H01L21/673 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人: | 郭晓东;马少东 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 电子 部件 存放 容器 | ||
技术领域
本发明涉及一种电子部件存放容器,更具体地说,涉及一种为了对半导体器件等的电子部件进行搬运等而对其进行存放的电子部件存放容器。
背景技术
作为在对半导体器件等的电子部件不造成损伤的情况下进行搬运的方法之一,采用将多个电子部件单独存放在盘(tray)中进行搬运的方法。
在图1中示出了现有的半导体器件存放盘。图1的(a)是该盘的俯视图,图1的(b)是在将两个这种盘层叠的状态下的X-X线的剖视图。
参照图1,作为由例如塑料等材料制成的成形件的半导体器件存放盘10呈具有阶梯的形状,并能够在铅垂方向上将多个半导体器件存放盘10进行层叠,详细内容在后面进行描述。在图1所示的例子中,两个半导体器件存放盘10-1及10-2层叠在铅垂方向上。
在半导体器件存放盘10的上表面形成有多个凹状存放部1,在该凹状存放部1的内部存放有半导体器件。
在图2的(a)中放大示出了图1中虚线A所包围的部分,在图2的(b)中放大示出了图1中虚线B所包围的部分。
如图2所示,在半导体器件存放盘10-1的下表面,并在半导体器件存放盘10-1的侧端部的附近形成有凸缘2-1,在半导体器件存放盘10-2的下表面,并在半导体器件存放盘10-2的侧端部的附近形成有凸缘2-2,各凸缘2-1及2-2向下方延伸。所述凸缘2-1的位于半导体器件存放盘10-1的中央侧的侧面从铅垂方向向半导体器件存放盘10-1的侧端部倾斜,相对于水平面倾斜大约83度;所述凸缘2-2的位于半导体器件存放盘10-2的中央侧的侧面从铅垂方向向半导体器件存放盘10-2的侧端部倾斜,相对于水平面倾斜大约83度。
另一方面,在半导体器件存放盘10-1的上表面,并在半导体器件存放盘10-1的侧端部的附近形成有盘上表面侧壁部3-1,在半导体器件存放盘10-2的上表面,并在半导体器件存放盘10-2的侧端部的附近形成有盘上表面侧壁部3-2,盘上表面侧壁部3-1及3-2向上方延伸。盘上表面侧壁部3-1构成半导体器件存放盘10-1的位于上表面的最外周侧的凹状存放部1-1的侧壁部,盘上表面侧壁部3-2构成半导体器件存放盘10-2的位于上表面的最外周侧的凹状存放部1-2的侧壁部。此外,在图2所示的例子中,在半导体器件存放盘10-2的凹状存放部1-2内存放有半导体器件4。
与半导体器件存放盘10-2的正上方所层叠的半导体器件存放盘10-1的凸缘2-1的位于半导体器件存放盘10-1的中央侧的侧面相比,半导体器件存放盘10-2的盘上表面侧壁部3-2的位于半导体器件存放盘10-2的侧端部侧的侧面位于半导体器件存放盘10-2的中央侧。
另外,盘上表面侧壁部3-1的位于半导体器件存放盘10-1的侧端部侧的侧面从铅垂方向向半导体器件存放盘10-1的中央侧倾斜,相对于水平面倾斜大约83度;盘上表面侧壁部3-2的位于半导体器件存放盘10-2的侧端部侧的侧面从铅垂方向向半导体器件存放盘10-2的中央侧倾斜,相对于水平面倾斜大约83度。
另外,提出有如下的半导体器件用盘,该半导体器件用盘是具有与封装主体的角落部分进行卡止的卡止部的半导体器件用盘,从所述卡止部呈L字形的卡止面的端部延伸并构成引导容纳部的端部的面,与卡止面的夹角为锐角,该面使引导容纳部的端部后退(参照专利文献1)。
专利文献1:JP特开平6-72478号公报。
发明内容
发明将要解决的课题
如上所述,具有这种结构的半导体器件存放盘10是由塑料等材料制成的成形件,因此有时由于成形时的偏差而产生尺寸公差。因而,在层叠半导体器件存放盘10-1及10-2后,如图2中虚线C及D所示,半导体器件存放盘10-2的盘上表面侧壁部3-2的位于半导体器件存放盘10-2的侧端部侧的侧面,与在半导体器件存放盘10-2的正上方层叠的半导体器件存放盘10-1的凸缘2-1的位于半导体器件存放盘10-1的中央侧的侧面之间,最小会产生大约0.065mm的间隙。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于富士通微电子株式会社,未经富士通微电子株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200780049072.3/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。