[发明专利]TFT阵列驱动装置无效
申请号: | 200780049104.X | 申请日: | 2007-01-15 |
公开(公告)号: | CN101573625A | 公开(公告)日: | 2009-11-04 |
发明(设计)人: | 山下光夫 | 申请(专利权)人: | 株式会社岛津制作所 |
主分类号: | G01R31/00 | 分类号: | G01R31/00 |
代理公司: | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 寿 宁 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | tft 阵列 驱动 装置 | ||
技术领域
本发明涉及一种对形成在TFT基板等基板上的TFT阵列进行驱动的驱动装置,本发明的TFT阵列驱动装置可以应用于对TFT阵列进行检查的TFT阵列检查装置中。
背景技术
TFT阵列一直是作为例如对液晶显示装置的像素电极进行选择的开关元件(switching element)来使用。在具备TFT阵列的基板上,例如将多条发挥扫描线功能的栅极线(gate line)予以平行配设,并且将多条发挥信号线功能的源极线(source line)配设成与栅极线正交,在两线交叉的部分的附近配设薄膜晶体管(Thin Film Transistor,TFT),并将像素电极与所述TFT相连接。
TFT阵列是通过配置成方格状来形成面板。通常在制造液晶基板时,是在一块玻璃基板上形成多个面板,经过各种步骤之后切分成各面板。
在液晶基板等的形成了TFT阵列的半导体基板的制造过程中,包括了制造过程中对形成在面板上的TFT阵列进行检查的TFT阵列检查步骤,在所述TFT阵列检查步骤中,会对TFT阵列进行缺陷检查。在所述TFT阵列检查步骤中,通过对所述栅极线或源极线施加缺陷检查用的信号图案的驱动信号而驱动TFT阵列,并对所述TFT阵列的驱动状态进行检测,来对TFT阵列进行检查。
关于所述TFT阵列检查,众所周知的有以通过照射电子束而产生的二次电子(secondary electron)的强度,来对驱动TFT阵列时的氧化铟锡(indium tin oxide,ITO)电位进行检测的方法。
在玻璃基板上,正如被称为复合斜切式(multiple beveling)那样,在一块玻璃基板上形成多个面板。在对所述复合斜切式的TFT玻璃基板进行检查时,是通过对形成在TFT玻璃基板上的所有面板施加驱动信号而同时对所有面板的TFT阵列加以驱动,并且一方面使支撑所述玻璃基板的平台(stage)以固定速度移动,一方面使用电子束连续地对面板进行扫描,来对形成在玻璃基板上的各面板的TFT阵列依次进行检查(例如,参看日本专利特开2006-170697号公报)。
TFT阵列检查装置是在真空室内配置测定用的平台,并在真空室的上部配置照射检查用的电子束的电子枪,将从电子枪照射出来的电子束照射到 载置在平台上的基板上。由于所述电子束所照射的照射范围与一个面板的面积相比之下极小,所以通过对电子束的照射方向进行控制,或者使平台以固定速度移动,来使电子束在基板上连续地进行扫描。
当基板上配置着多个面板时,在进行TFT阵列检查时,是对配置在基板上的所有面板进行驱动。当在平台移动的方向上配置着多个面板时,来自一个电子枪的电子束的照射区域只在基板上所配置的面板中的一个面板内,但是以往的TFT阵列驱动是对配置在基板上的所有面板同时进行驱动。
图5(a)~图5(c)是说明扫描时的以往的面板驱动例的图,表示了通过驱动面板来对TFT阵列进行检查的示例。图5(a)表示测定前的状态,图5(b)表示测定前半阶段的状态,图5(c)表示测定后半阶段的状态。
并且,这里是设为在一块玻璃基板5上以2×2的排列而配置着四块面板A~面板D(6A~6D),并且设为在真空室2内,在与平台的移动方向(图中的y方向)正交的方向(图中的x方向)上固定着两个电子枪4A、4B。
各电子枪4A、4B分别对一块面板照射电子束,通过对电子束的照射方向进行控制来进行x方向的扫描,并且通过平台的移动方向来进行y方向的扫描。因此,对应于平台的移动而分两阶段来进行测定,在测定前半阶段是对面板A(6A)和面板C(6C)进行扫描,在测定后半阶段是对面板B(6B)和面板D(6D)进行扫描。在进行所述各扫描时,通过对面板的TFT阵列进行驱动,来对TFT阵列进行检查。这时,在测定前半阶段,不仅对将进行检查的面板A(6A)和面板C(6C)进行驱动,而且对不进行检查的面板B(6B)和面板D(6D)也进行驱动,而在测定后半阶段,不仅对将进行检查的面板B(6B)和面板D(6D)进行驱动,而且对不进行检查的面板A(6A)和面板C(6C)也进行驱动。
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