[发明专利]混合光学与电子束光刻制造层级的共对准的高原子量结构及方法

权利要求书

1.一种混合光学与电子束光刻制造层级的共对准的方法，包括：

在基板中形成电子束对准目标，所述电子束对准目标包括在沟槽的底部中的电子背散射层，及在所述电子背散射层顶上且填充所述沟槽的帽盖层；

在形成所述电子束对准目标之后，在所述基板中形成光学对准目标，相关于所述基板中所述电子束对准目标的位置，所述光学对准目标位于所述基板中的预定位置；

在所述基板上形成抗蚀剂层；

将光掩模对准所述光学对准目标或所述电子束对准目标，所述光掩模具有透光及不透光区域的第一图案，所述第一图案代表集成电路的制造层级的第一组特征；

将所述抗蚀剂层通过所述光掩模而暴露于光化辐射，以在所述抗蚀剂层中形成选择性曝光区域，所述不透光区域阻挡所述光化辐射，且所述透光区域透射所述光化辐射；

相关于所述电子束对准目标的所述位置而设置电子束的起始位置；

将所述抗蚀剂层暴露于第二图案的所述电子束，以在所述抗蚀剂层中形成电子束曝光区域，所述第二图案代表所述集成电路的所述制造层级的第二组特征；以及

显影所述抗蚀剂层，以转移所述第一及第二图案至所述抗蚀剂层中的抗蚀剂图案。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述电子背散射层包括金属。

3.如权利要求1所述的方法，其中所述电子束对准目标还包括所述电子背散射层及所述帽盖层之间的应力减小层。

4.如权利要求3所述的方法，其中所述电子背散射层包括金属，以及所述应力减小层包括金属硅化物。

5.如权利要求1所述的方法，还包括：

将所述抗蚀剂图案转移到所述基板中或转移到形成于所述基板上的一层中。

6.如权利要求1所述的方法，其中将所述光掩模对准所述光学对准目标或者所述电子束对准目标的所述步骤包括分别相对于所述光学对准目标或者所述电子束对准目标而在所述光掩模上设置对准标记。

7.如权利要求1所述的方法，其中：

(i)将所述抗蚀剂层暴露于光化辐射是在将所述抗蚀剂层暴露于所述电子束之前实施；或

(ii)将所述抗蚀剂层暴露于所述电子束是在将所述抗蚀剂层暴露于光化辐射之前实施。

8.如权利要求1所述的方法，还包括：

将所述基板的表面分成有效电子束曝光区域；以及

仅在包括特征的所述基板的每一区域中形成附加电子束对准目标，所述特征为所述第二组特征的成员，并具有在所述基板上的位置，所述位置对应所述有效电子束曝光区域中的位置。

9.如权利要求1所述的方法，其中所述电子束对准目标占用的沿所述基板的顶表面测量的面积为所述光学对准目标占用的沿所述基板的所述顶表面测量的面积的25至100倍。

10.一种方法，包括：

形成电子束对准目标于基板中，所述电子束对准目标包括在沟槽的底部中的电子背散射层，及在所述电子背散射层顶上且填充所述沟槽的帽盖层；

在形成所述电子束对准目标之后，形成光学对准目标于所述基板中，所述光学对准目标位于相关于所述基板中的所述电子束对准目标的位置的所述基板中的预定位置；

形成光致抗蚀剂层于所述基板上；

将光掩模对准所述光学对准目标或者所述电子束对准目标，所述光掩模具有透光及不透光区域的第一图案，所述第一图案代表集成电路的制造层级的第一组特征；

将所述光致抗蚀剂层通过所述光掩模而暴露于光化辐射，以形成具有曝光及未曝光区域的曝光光致抗蚀剂层，所述不透光区域阻挡所述光化辐射，及所述透光区域透射所述光化辐射；

将所述光致抗蚀剂层显影，以转移所述第一图案至所述曝光光致抗蚀剂层；

形成电子束抗蚀剂层于所述基板上；

相关于所述电子束对准目标的所述位置而设置电子束的起始位置；

将所述电子束抗蚀剂层暴露于第二图案的所述电子束，以形成具有曝光及未曝光区域的曝光电子束抗蚀剂层，所述第二图案代表所述集成电路的所述制造层级的第二组特征；以及

将所述曝光电子束抗蚀剂层显影，以转移所述第二图案至所述曝光电子束抗蚀剂层。

11.如权利要求10所述的方法，其中所述光学对准目标为所述第一组特征中的特征。

12.如权利要求10所述的方法，其中所述电子背散射层包括金属，以及还包括在所述电子背散射层及所述帽盖层之间的金属硅化层。