[发明专利]提纯方法

权利要求书

1、一种用于从含有金属、半金属、金属化合物或半金属化合物的原料中去除一种或多种物质的方法，该方法包括以下步骤：将所述原料的细颗粒与试剂Y混合，并将所述原料加热，以在所述原料与所述试剂Y之间产生扩散界面，从而使所述一种或多种物质从所述原料迁移至所述试剂Y，由此制得更纯的金属或半金属颗粒。

2、根据权利要求1所述的方法，其中，所述试剂Y选自吸杂剂、还原剂、溶浸剂、扩散库、或者它们的组合。

3、根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述试剂Y在室温下为固体的形式，并且优选地，其中所述扩散界面是在所述试剂Y不再是固体的反应温度下产生的。

4、根据前述权利要求中任意一项所述的方法，其中，所述试剂Y选自铝、镁、锌、碳、钠、钙、锂、钾、蔗糖、氯化钠、氢气、或者它们的组合。

5、根据前述权利要求中任意一项所述的方法，其中，所述原料含有金属或半金属。

6、根据权利要求5所述的方法，其中，所述原料为硅，优选为冶金硅。

7、根据权利要求5或6所述的方法，其中，所述试剂Y的用量为1-2重量％；和/或所述试剂Y的用量是由所发生的还原反应的化学计量而确定的，优选稍微过量。

8、根据权利要求1-4中任意一项所述的方法，其中，所述原料含有金属化合物或半金属化合物。

9、根据权利要求8所述的方法，其中，所述原料为二氧化硅或硅酸盐材料。

10、根据权利要求6或9所述的方法，其中，由该方法制得光伏级硅。

11、根据前述权利要求中任意一项所述的方法，其中，在涂覆步骤之前，所述细颗粒的平均尺寸为小于100微米，并且所述细颗粒优选为纳米颗粒，该纳米颗粒的尺寸为1-200nm，优选为5-100nm，且更优选为10-50nm。

12、根据前述权利要求中任意一项所述的方法，其中，所述纳米颗粒是通过等离子体技术而制得的。

13、根据权利要求12所述的方法，其中，所述试剂Y与所述原料共同进料，从而制得涂覆的纳米颗粒。

14、根据前述权利要求中任意一项所述的方法，其中，所述试剂Y的形式为纳米颗粒。

15、根据前述权利要求中任意一项所述的方法，其中，将所述试剂Y涂覆在所述细颗粒之上，且涂覆在所述细颗粒上的所述试剂Y的厚度为至少一个原子层至10nm，优选为0.1-10nm，还优选为1-5nm。

16、根据前述权利要求中任意一项所述的方法，其中，将混合的所述细颗粒和所述试剂Y加热至温度为600-1700℃，优选为800-1200℃，且更优选为800-1000℃。

17、根据前述权利要求中任意一项所述的方法，其中，将反应温度保持1-1000分钟，并优选保持10和100分钟，且还更优选保持为60分钟的量级。

18、根据前述权利要求中任意一项所述的方法，其中，对提纯的金属或半金属颗粒作进一步地处理，以去除所述试剂Y。

19、根据前述权利要求中任意一项所述的方法，其中，所述加热步骤是在基本为惰性的气氛中进行的。

20、根据前述权利要求中任意一项所述的方法，其中，所述原料和所述试剂Y是通过等离子体法而混合的，例如使用等离子体沉积装置。

21、根据权利要求20所述的方法，其中，将所述原料和所述试剂Y加热至4000-14000℃，并优选加热至6000-1000℃，且更优选加热至1000℃的量级。

22、根据前述权利要求中任意一项所述的方法，其中，所述试剂Y在室温下为液体或气体的形式。

23、根据权利要求22所述的方法，其中，所述试剂Y为还原剂，例如碳、甲烷或氢气。

24、一种提纯金属或半金属的方法，该方法包括以下步骤：将金属或半金属细颗粒与吸杂剂混合，并将所述细颗粒加热，从而使残留的杂质从所述细颗粒迁移至所述吸杂剂。