[发明专利]芳基胺取代的二乙烯基芴及其用于电子摄影应用和OLED（有机发光器件）的使用

说明书

本发明涉及二乙烯基芴的新型芳基胺衍生物及其用于电子摄影应 用和有机发光二极管以及新型材料和制剂的应用。

在电子摄影术中使用三芳基胺是公知的。此外人们发现，具有延 长π-共轭体系的三芳基胺衍生的空穴导体(缺陷电子导体)相对于未 延长π-共轭体系的三芳基胺衍生的空穴导体通常具有显著较高的空穴 迁移率(EP795791Mitsubishi Chemical)，该延长π-共轭体系通过加入 乙烯基、丁二烯基和苯乙烯基而获得。在电荷传输材料中空穴迁移率 的升高对于提高激光印刷和复印以及OLED中电致发光的效率来说具 有本质意义。

已经发现，在电荷传输层中低空穴迁移率降低激光印刷和复印中 成像单元的灵敏度并升高残余电位(DE19829055)。通过灵敏度的降低 和残余电位的升高，将获得减小的印刷密度。另外也公知，当粘合剂 中电荷传输介质(通常为聚碳酸酯)的浓度降低时，电荷传输层中的 空穴迁移率降低。为了避免该情况，应升高电荷传输材料的浓度，然 而这却导致电荷传输层较快的磨损。已发现，当人们使用具有高分子 量粘合剂树脂时，可以克服上述难题。然而，高分子树脂在大多数溶 剂中具有有限的溶解度，当在浸渍法中形成光电导薄膜时，其在光电 导薄膜中导致例如雾浊的缺陷。这使得光电导体的产量显著下降。

因此显然地，使用具有比标准空穴导体(例如TPD(N，N’-二苯基 -N，N′-二-间-甲苯基-联苯胺)或N，N’-二苯基-N，N′-二-萘-1-基-联苯胺 (α-NPD))基本较高缺陷电子迁移率的空穴导体材料。由此可降低电 荷传输材料的浓度并由此增加空穴传输层的稳定性。其优点也在于， 通过使用具有较高迁移率的空穴导体能提高印刷速度。

对于在异质结构-OLED中有效的电致发光来说，在各个电荷传输 材料中需要平衡的空穴和电流强度。当空穴传输层中的缺陷电子迁移 率与电子传输层中的电子迁移率共存时，复合概率和电致发光的量子 产额能够显著升高。在空穴导体的基础构造中加入额外的乙烯基、丁 二烯基和苯乙烯基能导致空穴迁移率的精密调整以及电子迁移率的最 佳调节。

US 2005/0067951A1(Richter，Lischewski，Sensient)中描述了9，9- 二烷基-N，N，N′，N′-四芳基-9H-芴-2，7-二胺，其中三烷基氨基是芴基质的 部分，并且为了实现高的玻璃化转变温度，其具有空间位阻 (raumgreifende，sterisch anspruchsvolle Substituenten)取代基。这使其 可用作电子摄影术和OLED应用中的空穴导体材料。 US2006/0022193A1中描述了新型二乙烯基芴化合物，其被发现可用作 用于光敏材料的荧光增白剂、敏化剂或用于聚合电致发光材料应用的 原料。本发明的目的也是合成二乙烯基芴化合物。基于芴借助烷基溴 和氢化钠二烷基化C-9-原子。在此通过多聚甲醛和溴化氢在乙酸中的 转化形成相应的2，7-二(溴甲基)-9，9-二烷基芴。借助三乙基亚磷酸盐将 其转化为2，7-二(甲基膦酸二乙基酯)-9，9-二烷基芴。在随后的 Wittig-Horner-烯化作用中，在碱的存在下，通过醛或酮将其转化为相 应的9，9-二烷基-2，7-二乙烯基-9H-芴。

DE 102005036696中已描述了甲醛和丙烯醛取代的芳基胺及其乙 缩醛作为前体特别是用于电子摄影应用和用于OLED以及用于新型材 料和制剂。

本发明的目的是具有极好的耐用性、高灵敏度和低残余电位的耐 磨光电导体。

本发明的任务是，化合物的制备及其作为空穴导体的应用，该空 穴导体具有改善的空穴导体迁移率。该化合物应该是新型物质，或者， 若该化合物已被公知，迄今仍未设想将其用于上述任务。

本发明基于如下科学想法，通过将具有可极化的π-电子(例如乙 烯基)的基团插入芳基氨基结构(其与芴分子直接共轭)，形成具有高 空穴导体迁移率并可用于电子摄影应用的新型电势空穴导体。

在此，已证实二乙烯基芴的三芳基胺衍生物是合适的选择。

本发明要求保护通式1的化合物及其在电子摄影术、OLED以及 用于新型制剂和材料的应用。

其中该通式符合下述约定：