[发明专利]有机传感器装置及其应用无效
申请号: | 200780049848.1 | 申请日: | 2007-11-13 |
公开(公告)号: | CN101669223A | 公开(公告)日: | 2010-03-10 |
发明(设计)人: | 叶连娜·劳希纳;马尔塔·马斯托伦特;康塞普西奥·罗维拉安古洛;豪梅·贝西亚纳米罗;弗拉基米尔·劳欣 | 申请(专利权)人: | 西班牙高等科研理事会;卡特兰纳先进研发研究院 |
主分类号: | H01L51/00 | 分类号: | H01L51/00;B05D5/12 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 余 刚;吴孟秋 |
地址: | 西班牙*** | 国省代码: | 西班牙;ES |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 传感器 装置 及其 应用 | ||
1.一种有机传感器装置,其特征在于所述装置由以下各项构成:
i)有机材料层,对压力、电压、变形、气体和/或温度的变化敏感;其中所述有机材料层由包括分子A的至少一种盐或导电复合物以及掺杂剂D形成,所述分子A是能够形成导电盐或复合物的电子供体或受体有机分子或高分子,其在没有掺杂时不导电,并且所述掺杂剂D是能够利用所述分子或高分子A形成盐或导电复合物的电子受体或供体的化合物;以及
ii)基衬底,与所述有机材料层i)紧密接触,其中所述基衬底相对于所述有机材料层i)是惰性的。
2.根据权利要求1所述的有机传感器装置,其特征在于,所述分子或高分子A选自并苯、六苯并苯、四硫富瓦烯或四氢基醌二甲烷衍生物。
3.根据权利要求2所述的有机传感器装置,其特征在于,所述分子或高分子A选自双(亚乙基硫代)四硫富瓦烯(bis(ethylenthio)tetrathiafulvalene)(BET-TTF)或双(亚乙基二硫代)四硫富瓦烯(BEDT-TTF)。
4.根据权利要求1所述的有机传感器装置,其特征在于,所述掺杂剂D是挥发性物质。
5.根据权利要求4所述的有机传感器装置,其特征在于,所述挥发性物质选自碘、溴、溴化碘、氯或氯化碘。
6.根据权利要求1所述的有机传感器装置,其特征在于,所述盐选自(BEDT-TTF)2I3和(BET-TTF)2IxBr3-x,其中,BET-TTF是双(亚乙基硫代)四硫富瓦烯,且BEDT-TTF是双(亚乙基二硫代)四硫富瓦烯。
7.根据权利要求1所述的有机传感器装置,其特征在于,所述基衬底相对于对压力、电压、变形、温度或气体变化敏感的所述有机层是惰性的,并且所述基衬底可以是无机的、金属的、聚合物的或三维晶体。
8.根据权利要求7所述的有机传感器装置,其特征在于,所述无机基衬底选自氧化硅或氧化铝。
9.根据权利要求7所述的有机传感器装置,其特征在于,所述基衬底是非导电有机聚合物。
10.根据权利要求9所述的有机传感器装置,其特征在于,所述基衬底是热塑性聚合物或弹性体。
11.根据权利要求10所述的有机传感器装置,其特征在于,所述基衬底选自:聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚乙烯或聚丙烯。
12.根据上述任一项权利要求所述的有机传感器装置,其特征在于,由于所述有机材料层i)是(BEDT-TTF)2I3,所述装置易于作为压力、电压和/或变形传感器应用。
13.根据权利要求1-11中任一项所述的有机传感器装置,其特征在于,由于所述有机材料层i)是(BET-TTF)2IxBr3-x,所述装置易于作为气体传感器应用。
14.根据权利要求1-11中任一项所述的有机传感器装置,其特征在于,所述有机材料层i)是(BET-TTF)2IxBr3-x,所述装置易于作为温度传感器应用。
15.根据权利要求1至14中所述的传感器装置在分子电子学或塑料电子学的领域中以及传感器的领域中的应用。
16.根据权利要求15所述的传感器装置的应用,其特征在于,所述传感器装置用于呼吸面具、通用医疗设备、监控、衣服或纺织品和智能鞋类。
17.一种由包括分子A的至少一种盐或导电复合物以及掺杂剂D形成的有机材料的应用,所述分子A是能够形成导电盐或复合物的电子供体或受体有机分子或高分子,其在没有掺杂时不导电,并且所述掺杂剂D是能够利用所述分子或高分子A形成作为压力、电压、变形和/或气体中变化的传感器的盐或导电复合物的电子供体或受体的化合物。
18.根据权利要求17所述的有机材料的应用,所述有机材料作为温度变化传感器。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
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H01L51-54 .. 材料选择