[发明专利]离子注入机的法拉第杯的磁性监控

权利要求书

1.一种用于对离子注入工艺进行远程(remote)磁性监控的系统，包括：

真空室；

法拉第杯，位于所述真空室内，其中所述法拉第杯配置成在进入所述真空室的离子束路径内移动；以及

磁性监控器，放置于所述真空室周围，其中所述磁性监控器配置成用以区分与所述法拉第杯相关联的磁场与杂散磁场；

其中所述法拉第杯配置成在所述真空室内自缩回位置移动至伸出位置，其中所述法拉第杯在所述缩回位置上靠近所述磁性监控器，且所述法拉第杯在所述伸出位置上远离所述磁性监控器。

2.如权利要求1所述的系统，其中所述磁性监控器配置成用以响应所述法拉第杯处于所述缩回位置而获得第一磁场测量值，并响应所述法拉第杯处于所述伸出位置而获得第二磁场测量值。

3.如权利要求2所述的系统，其中所述第一磁场测量值指示与所述法拉第杯相关联的所述磁场，而所述第二磁场测量值指示所述杂散磁场。

4.如权利要求1所述的系统，其中所述磁性监控器包括磁性感测装置。

5.一种用于对离子注入机中的法拉第杯进行原位(in-situ)磁性监控的系统，包括：

真空室；

法拉第杯，位于所述真空室内，其中所述法拉第杯配置成在进入所述真空室的离子束路径内移动；

至少一磁性监控器，放置于所述真空室周围，其中所述至少一磁性监控器配置成在所述法拉第杯在所述真空室内移动时测量磁场；以及

磁性监控器处理器，配置成接收由所述至少一磁性监控器所产生的指示所述测量磁场的信号，其中所述磁性监控器处理器用以确定所述测量磁场中由所述法拉第杯所引起的大小以及所述测量磁场中由杂散磁场所引起的大小；

其中所述至少一磁性监控器包括第一磁性感测装置及第二磁性感测装置，其中所述第一磁性感测装置及所述第二磁性感测装置位于包括所述真空室的壁上或所述法拉第杯上的位置上；

其中所述法拉第杯配置成在所述真空室内自缩回位置移动至伸出位置，其中所述法拉第杯在所述缩回位置上靠近所述第一磁性感测装置，且所述法拉第杯在所述伸出位置上靠近所述第二磁性感测装置。

6.如权利要求5所述的系统，其中所述第一磁性感测装置响应所述法拉第杯处于所述缩回位置而获得第一磁场测量值，并响应所述法拉第杯处于所述伸出位置而获得第二磁场测量值。

7.如权利要求6所述的系统，其中所述第一磁场测量值指示与所述法拉第杯相关联的所述磁场，而所述第二磁场测量值指示所述杂散磁场。

8.如权利要求7所述的系统，其中所述磁性监控器处理器配置成用以确定所述第一磁场测量值与所述第二磁场测量值的差值，其中所述差值指示由所述法拉第杯所引起的所述测量磁场。

9.如权利要求5所述的系统，其中所述至少一磁性监控器包括由下列所构成的族群中选出的磁性感测装置：霍尔探针，磁致动开关，磁性接近传感器，磁二极管，或AMR传感器。

10.如权利要求5所述的系统，其中所述磁性监控器处理器配置成用以响应判定出所述测量磁场中由所述法拉第杯所引起的大小达到预定临界值而产生警告。

11.如权利要求5所述的系统，其中所述磁性监控器处理器配置成用以根据所述测量磁场中由所述法拉第杯所引起的大小与所述测量磁场中由所述杂散磁场所引起的大小而控制进入所述真空室的所述离子束。

12.一种离子注入机，包括：

离子源，配置成产生离子束；

磁铁，配置成使所述离子束的路径转弯；

真空室，配置成自所述磁铁接收所述离子束；

法拉第杯，位于所述真空室内，其中所述法拉第杯用以在所述真空室中的所述离子束路径内移动；

磁性监控器，放置于所述真空室周围，其中所述磁性监控器用以在所述法拉第杯在所述真空室内移动时测量磁场；以及

磁性监控器处理器，配置成接收由所述磁性监控器所产生的磁场测量值，其中所述磁性监控器处理器配置成用以确定所述测量磁场中由所述法拉第杯所引起的大小以及所述测量磁场中由杂散磁场所引起的大小；

其中所述法拉第杯配置成在所述真空室内自缩回位置移动至伸出位置，其中所述法拉第杯在所述缩回位置上靠近所述磁性监控器，且所述法拉第杯在所述伸出位置上远离所述磁性监控器。