[发明专利]用于IBIIIAVIA族化合物层的掺杂技术

权利要求书

1.一种形成用于太阳能电池的吸收层的多层结构，包括：

包括衬底层的基底；

形成在所述基底上的基本上为金属的前体层，所述基本上为金属 的前体是指基本上由IB族材料和IIIA族材料构成的前体，其中所述 基本上为金属的前体层包括至少一种IB族材料和至少一种IIIA族材 料；以及

形成在所述基本上为金属的前体层上的掺杂剂结构，其中所述掺 杂剂结构包括IA族材料和VIA族材料，并且所述IA族材料包括Na、 K和Li中的至少一种。

2.根据权利要求1的多层结构，其中所述掺杂剂结构是包括IA 族材料的含掺杂剂膜，所述含掺杂剂膜具有2-100nm的厚度。

3.根据权利要求1的多层结构，其中所述掺杂剂结构是除IA族 材料以外还包括VIA族材料的掺杂剂载体层，所述掺杂剂载体层具有 250-2600nm的厚度。

4.根据权利要求1的多层结构，其中所述掺杂剂结构是掺杂剂叠 层，其包括形成在所述基本上为金属的前体层上的缓冲层和形成在所 述缓冲层上的含掺杂剂膜，其中所述缓冲层包括VIA族材料且所述含 掺杂剂膜包括IA族材料，所述缓冲层具有50-500nm的厚度，且所述 含掺杂剂膜具有2-100nm的厚度。

5.根据权利要求1的多层结构，其中所述掺杂剂结构是掺杂剂叠 层，其包括形成在所述基本上为金属的前体层上的含掺杂剂膜和形成 在所述含掺杂剂膜上的覆盖层，其中所述含掺杂剂膜包括IA族材料 且所述覆盖层包括VIA族材料，所述含掺杂剂膜具有2-100nm的厚 度，且所述覆盖层具有200-2000nm的厚度。

6.根据权利要求1的多层结构，其中所述掺杂剂结构为掺杂剂叠 层，其包括所述基本上为金属的前体层上的缓冲层、所述缓冲层上的 含掺杂剂膜和形成在所述含掺杂剂膜上的覆盖层，其中所述缓冲层和 所述覆盖层包括VIA族材料且所述含掺杂剂膜包括IA族材料，所述 缓冲层具有50-500nm的厚度，所述含掺杂剂膜具有2-100nm的厚度， 且所述覆盖层具有200-2000nm的厚度。

7.根据权利要求3-6中任一权项的多层结构，其中所述VIA族 材料是Se。

8.根据权利要求1的多层结构，其中所述基本上为金属的前体层 包括至少80％的金属相，且所述至少一种IB族材料和至少一种IIIA 族材料包括Cu、In和Ga金属。

9.一种在基底上形成掺杂的IBIIIAVIA族吸收层的方法，包括以 下步骤：

在所述基底上淀积包括至少一种IB族材料和至少一种IIIA族材 料的基本上为金属的前体层，所述基本上为金属的前体是指基本上由 IB族材料和IIIA族材料构成的前体；

在所述前体层上形成掺杂剂结构，所述掺杂剂结构包括具有Na、 K和Li中至少之一和VIA族材料的掺杂剂材料；以及

使所述前体层与所述掺杂剂结构反应。

10.根据权利要求9的方法，其中形成所述掺杂剂结构的步骤包 括通过淀积掺杂剂材料在所述基本上为金属的前体层上形成含掺杂 剂膜。

11.根据权利要求10的方法，其中形成所述掺杂剂结构的步骤还 包括在形成所述含掺杂剂膜之前，在所述基本上为金属的前体层上淀 积由VIA族材料构成的缓冲层。

12.根据权利要求11的方法，其中形成所述掺杂剂结构的步骤还 包括在所述含掺杂剂膜上淀积由VIA族材料构成的覆盖层。

13.根据权利要求11的方法，其中淀积所述缓冲层的步骤包括电 镀所述VIA族材料。

14.根据权利要求10的方法，其中形成所述掺杂剂结构的步骤还 包括在所述含掺杂剂膜上淀积由VIA族材料构成的覆盖层。

15.根据权利要求10的方法，其中淀积所述含掺杂剂膜的步骤包 括浸渍涂覆所述掺杂剂材料。