[发明专利]将数据记录在全息存储介质上/从全息存储介质再现数据的方法和设备无效

专利信息
申请号: 200780050384.6 申请日: 2007-10-17
公开(公告)号: CN101589432A 公开(公告)日: 2009-11-25
发明(设计)人: 朴贤洙;金珍汉 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: G11B7/0065 分类号: G11B7/0065
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 代理人: 韩明星;罗延红
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 数据 记录 全息 存储 介质 再现 方法 设备
【说明书】:

技术领域

发明的各方面涉及一种将数据记录在全息存储介质上/从全息存储介 质再现数据的方法和设备。

背景技术

在光学全息术中,数据被存储在记录介质的体(volume)内,而非记录 介质的表面上。携带信号的光与参考光在记录介质中干涉,从而产生干涉光 栅(被称为数据页)。通过改变参考光的光学特性可将多个重叠的光栅记录在 相同的体中。这一过程被称为复用。在数据读取操作中,单个参考光在与数 据写入操作时相同的条件下入射到记录介质上,以产生衍射光,该衍射光指 示存储的数据页。衍射光被检测阵列检测到,检测阵列从测量的强度图样提 取存储的数据比特。数据页包含许多数据比特或像素。可通过在记录介质的 相同体中叠加多个数据页来增加记录介质的数据存储容量。使用包含数据的 信号光和参考光来记录全息图。

图1A和图1B是解释根据现有技术的光学全息术中的记录操作和再现操 作的参考图。在图1A示出的记录操作中,参考光R和信号光S彼此干涉, 从而产生干涉图样。产生的干涉图样被传递给记录介质。在图1B示出的再现 操作中,照射到记录介质上记录的全息图上的参考光R引起全息图的衍射, 从而产生输出的信号光S。

通过信号光和参考光之间的干涉执行全息存储介质上的记录。通过空间 光调制器以包括多个像素的页的形式产生信号光。产生的信号光S在通过光 学系统之后,与参考光在全息存储介质上发生干涉。这样产生的干涉图样被 记录在全息存储介质上。为了再现,参考光入射到记录的干涉图样上,引起 记录的信号光的衍射。

在全息图记录中,可以以各种方式,如改变参考光R的角度来记录信号 光的强度和相位。可以将几百至几千个全息图以包括二进制数据的页记录在 同一位置。所述页可以用“on”或“off”来表示像素的信息。

为了将二进制数据记录在全息存储介质上,空间光调制器产生二进制数 据。用电荷耦合器件(CCD)或互补金属氧化物半导体(CMOS)实现的检 测器接收关于二进制数据格式的光强的强度分布,将二进制数据移动到原始 页的相应位置,从该位置读取二进制数据。

发明内容

技术问题

如果在空间光调制器产生二进制数据或再现页数据时产生噪声,则原始 页的数据或者原始页的形状可能由于噪声而改变,使得难以读取原始数据。 具体地讲,如果包含页数据的地址信息或调制信息的附加信息由于噪声而具 有差错,则检测器利用该附加信息读取原始数据的准确度可能会变差。

技术方案

本发明的各方面提供一种将数据记录到全息存储介质上/从全息存储介 质再现数据的方法和设备,其中,减小了用于全息存储介质上记录的页的附 加信息的差错,可容易地检测数据。

有益效果

根据本发明的各方面,通过将页的附加信息中的数据的比率保持恒定, 并且限制数据的游程长度(run length),可以容易地读取页,以再现记录在全 息存储介质上的数据。

附图说明

通过下面结合附图对实施例的描述,本发明的这些和/或其他方面和优点 将变得清楚并更容易理解,其中:

图1A和图1B是解释根据现有技术的光学全息术中的记录操作和再现操 作的参考图;

图2是根据本发明实施例的将数据记录在全息存储介质上/从全息存储介 质再现数据的设备的框图;

图3示出根据本发明实施例的原始页;

图4是根据本发明实施例的控制单元改变附加信息的处理的流程图;

图5示出根据本发明实施例的在控制单元调制之前的附加信息和在控制 单元调制之后的附加信息;

图6是解释根据本发明实施例的控制单元对调制的附加信息进行限幅的 处理的示图。

最佳方式

根据本发明的一方面,提供一种将数据记录在全息存储介质上的方法, 在该全息存储介质中,以页为单位记录通过信号光和参考光之间的干涉形成 的包含数据的全息图。所述方法包括:对包含关于页的信息的附加信息进行 调制,以使附加信息的二进制数据中的0或1的比率保持恒定,并将添加了 调制的附加信息的页记录在全息存储介质上。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社,未经三星电子株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200780050384.6/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top