[发明专利]含阳离子敏感层的复合制品无效

专利信息
申请号: 200780050405.4 申请日: 2007-12-19
公开(公告)号: CN101589483A 公开(公告)日: 2009-11-25
发明(设计)人: D·E·凯特索里斯;E·麦克奎斯顿;T·D·巴纳德;N·格里尔;P·沙尔克 申请(专利权)人: 陶氏康宁公司
主分类号: H01L51/52 分类号: H01L51/52
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 张 钦
地址: 美国*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 阳离子 敏感 复合 制品
【权利要求书】:

1.一种复合制品,它包括:

基底,该基底在其表面上包含至少0.1原子wt%的阳离子,基于所 述基底表面上的总原子重量;

含阳离子敏感材料并置于所述基底表面上的阳离子敏感层;和

置于所述基底和所述阳离子敏感层之间且包括固化的硅氧烷组合 物的硅氧烷层,以防止阳离子从所述基底迁移到所述阳离子敏感层中;

其中所述固化的硅氧烷组合物选自氢化硅烷化固化的硅氧烷组合 物,缩合固化的硅氧烷组合物,和自由基固化的硅氧烷组合物中之一。

2.权利要求1的复合制品,其中所述固化的硅氧烷组合物是氢化 硅烷化固化的硅氧烷组合物,该氢化硅烷化固化的硅氧烷组合物包含在 催化量的氢化硅烷化催化剂(C)存在下有机硅树脂(A)和用量足以固 化所述有机硅树脂的每一分子平均具有至少两个与硅键合的氢原子的 有机基硅化合物(B)的反应产物。

3.权利要求2的复合制品,其中所述有机硅树脂(A)的通式为:

(R1R22SiO1/2)w(R22SiO2/2)x(R2SiO3/2)y(SiO4/2)z

其中R1是C1-C10烃基或C1-C10卤素取代的烃基,二者均不含脂族不 饱和键,R2是R1或链烯基,w为0-0.9,x为0-0.9,y为0-0.99,z为 0-0.85,w+x+y+z=1,y+z/(w+x+y+z)为0.1-0.99,和w+x/(w+x+y+z) 为0.01-0.9,条件是所述有机硅树脂每一分子平均具有至少两个与硅键 合的链烯基。

4.权利要求1的复合制品,其中所述固化的硅氧烷组合物是缩合 固化的硅氧烷组合物,该缩合固化的硅氧烷组合物包含任选地在催化量 的缩合催化剂(C′)存在下具有至少两个与硅键合的羟基或可水解基团的 有机硅树脂(A″)和任选地具有与硅键合的可水解基团的交联剂(B′)的 反应产物。

5.权利要求4的复合制品,其中所述有机硅树脂(A″)的通式为: (R1R62SiO1/2)w′(R62SiO2/2)x′(R6SiO3/2)y′(SiO4/2)z′

其中R1是C1-C10烃基或C1-C10卤素取代的烃基,二者均不含脂族不 饱和键,R6是R1、-H、-OH或可水解基团,和w′为0-0.8,x′为0-0.95, y′为0-1,和z′为0-0.99,w′+x′+y′+z′=1,和其中所述有机硅树脂(A″) 每一分子平均具有至少两个与硅键合的氢原子、羟基、或可水解基团。

6.权利要求5的复合制品,其中所述硅氧烷组合物进一步包含颗 粒形式的无机填料。

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