[发明专利]用于抛光由二氧化硅制成的表面的组合物

权利要求书

1.一种包含如下组分的用于抛光表面的组合物：

a)至少一种包含密度为3.5-9g/cm³的镧系元素氧化物的无机磨料组分(S)，

b)至少一种作为基于聚合物的有机分散剂组分(P)的羧酸聚合物，

c)至少一种基于结冷胶的有机胶凝剂(G)，

d)作为溶解或分散介质的水，

e)合适的话其它助剂和添加剂材料。

2.根据权利要求1的用于抛光表面的组合物，其包含氧化铈与氧化锆 和/或氧化锰的组合作为无机磨料组分(S)。

3.根据权利要求1或2的用于抛光表面的组合物，其包含密度为 5.0-8.0g/cm³的镧系元素氧化物作为无机磨料组分(S)。

4.根据权利要求1或2的用于抛光表面的组合物，其包含氧化铈或氧 化铈与氧化锆和/或氧化锰的组合作为无机磨料组分(S)。

5.根据权利要求1或2的用于抛光表面的组合物，其包含含有单体丙 烯酸、甲基丙烯酸和马来酸的共聚物作为有机分散组分(P)。

6.根据权利要求1或2的用于抛光表面的组合物，其包含0.001-1.0 重量％的结冷胶作为有机胶凝剂。

7.根据权利要求1或2的用于抛光表面的组合物，其包含结冷胶作为 有机胶凝剂和二氧化铈作为无机磨料组分(S)。

8.根据权利要求1或2的用于抛光表面的组合物，其包含聚乙烯吡咯 烷酮、阳离子化合物、邻苯二甲酸和/或两性离子化合物作为其它助剂和添 加剂材料。

9.根据权利要求1或2的用于抛光表面的组合物，其包含如下组分：

0.02-6重量％至少一种磨料(S)，

0.01-5重量％至少一种羧酸聚合物，

0.01-1重量％至少一种胶凝剂(G)，

以及合适的话，作为助剂和添加剂材料的

0-10重量％的聚乙烯吡咯烷酮，

0-5重量％的阳离子化合物，

0-1重量％的邻苯二甲酸或其盐，

0-5重量％的两性离子化合物，

以及加至100％的作为溶解或分散介质的水。

10.一种用于抛光半导体元件表面(O)的方法，其中首先将含水组合物 (Z)施用至待抛光的表面(O)上，所述组合物(Z)包含如下组分：

a)至少一种包含密度为3.5-9g/cm³的镧系元素氧化物的无机磨料组分(S)，

b)至少一种作为基于聚合物的有机分散剂组分(P)的羧酸聚合物，

c)至少一种基于结冷胶的有机胶凝剂(G)，

d)作为溶解或分散介质的水，

e)合适的话其它助剂和添加剂材料。

其中在抛光操作过程中形成的磨蚀产物可在达到所需平坦化(P)后通过简 单冲洗操作(V)与组合物(Z)的组分一起从抛光后的表面(O)除去。

11.根据权利要求10的用于抛光表面的方法，其中所述表面(O)由氧 化硅或氮化硅形成并且将密度为3.5-9g/cm³的镧系元素氧化物用作无机磨 料组分(S)。

12.根据权利要求10或11的用于抛光表面的方法，其中所述组合物(Z) 包含氧化铈作为无机磨料组分(S)。

13.根据权利要求10或11的用于抛光表面的方法，其中所述组合物(Z) 包含氧化铈与氧化锆和/或氧化锰的组合作为无机磨料组分(S)。

14.根据权利要求10或11的用于抛光表面的方法，其中所述组合物(Z) 包含含有单体丙烯酸、甲基丙烯酸和/或马来酸的共聚物作为有机分散组分 (P)。

15.根据权利要求10或11的用于抛光表面的方法，其中所述组合物(Z) 包含0.001-1.0重量％的结冷胶作为有机胶凝剂。