[发明专利]在等离子式离子注入中使用改良式遮蔽环的技术

权利要求书

1、一种等离子式离子注入设备，所述设备包括：

遮蔽环，与目标晶片定位于同一平面上并环绕所述目标晶片的周围，其中，所述遮蔽环包括孔定义装置，以定义出至少一个孔的面积；

法拉第杯，定位于所述至少一个孔的下方；以及

剂量计数电子设备，连接所述法拉第杯，以计算离子剂量率。

2、根据权利要求1所述的设备，其中所述设备用于在辉光放电等离子掺杂系统中进行离子注入。

3、根据权利要求1所述的设备，其中所述设备用于在射频等离子掺杂系统中进行离子注入。

4、根据权利要求1所述的设备，其中所述孔定义装置包括硅、碳化硅、碳以及石墨中的至少一种。

5、根据权利要求1所述的设备，其中所述孔定义装置包括设置于所述遮蔽环的所述孔下方以及所述法拉第杯上方的插件，其中所述插件由低蚀刻材质制成。

6、根据权利要求1所述的设备，其中所述孔定义装置包括透镜盖，所述透镜盖设置并配合于所述遮蔽环的所述孔上，其中所述透镜盖由低蚀刻材质制成。

7、根据权利要求1所述的设备，其中所述孔定义装置包括设置于所述遮蔽环的所述孔下方以及所述法拉第杯上方的弹性加载装置，其中所述弹性加载装置由低蚀刻材质制成。

8、根据权利要求1所述的设备，其中所述至少一个孔的面积的形状包括圆形、弧形、缝状、环状、矩形、三角形以及椭圆形中的至少一种。

9、一种等离子式离子注入设备，所述设备包括：

遮蔽环，与目标晶片定位于同一平面上并环绕所述目标晶片的周围，其中所述遮蔽环包括块材并具有定义出一面积的至少一个孔；

法拉第杯，定位于所述至少一个孔的下方；以及

剂量计数电子设备，连接所述法拉第杯，以计算离子剂量率。

10、根据权利要求9所述的设备，其中所述块材包括硅、碳化硅、碳以及石墨中的至少一种。

11、一种等离子式离子注入设备，所述设备包括：

遮蔽环，与目标晶片定位于同一平面上并环绕所述目标晶片的周围，其中所述遮蔽环包括定义出一面积的至少一个孔；

法拉第杯，定位于所述至少一个孔的下方；以及

剂量计数电子设备，连接所述法拉第杯，其中所述剂量计数电子设备包括计算模组，计算模组用以根据校正孔的面积变化而计算离子剂量率。

12、根据权利要求11所述的设备，其中所述计算模组根据校正孔的面积变化而计算离子剂量率。

13、根据权利要求12所述的设备，其中所述计算模组根据所述遮蔽环的蚀刻率信息来校正孔的面积变化。

14、根据权利要求12所述的设备，其中所述计算模组根据原位光学量测所量测到的孔的面积变化来校正孔的面积变化。

15、根据权利要求12所述的设备，其中所述计算模组根据单独的离子源来校正孔的面积变化。

16、根据权利要求12所述的设备，其中所述计算模组根据实质上稳定的主等离子源来校正孔的面积变化。

17、根据权利要求12所述的设备，其中所述计算模组根据双通道校准来校正孔的面积变化。

18、根据权利要求17所述的设备，其中所述双通道校准包括第一通道与第二通道。

19、根据权利要求18所述的设备，其中所述第一通道连接于至少一孔以进行即时的剂量测定，所述第二通道连接于被遮蔽的至少一孔，比较所述第二通道在未遮蔽时接收的测量值与所述第一通道的测量值且用于计算离子剂量率。

20、根据权利要求18所述的设备，其中所述第一通道连接于具有第一几何结构的至少一孔，所述第二通道连接于具有第二几何结构的至少一孔，比较连接于所述第一通道的至少一孔的周长与面积的第一比率以及连接于所述第二通道的至少一孔的周长与面积的第二比率的测量信息且用于计算离子剂量率。