[发明专利]用于非易失性存储装置的电阻感测及补偿

权利要求书

1.一种用于从非易失性存储装置读取数据的方法，其包含：

针对一群组经连接非易失性存储元件共同测量电阻信息；

基于所述电阻信息而选择针对所述一群组经连接非易失性存储元件的读取参数； 及

使用所述电阻信息从所述群组经连接非易失性存储元件中的非易失性存储元件 读取数据，其包括使用针对所述一群组的所述读取参数来执行读取操作。

2.根据权利要求1所述的方法，其中：

所述针对所述一群组经连接非易失性存储元件共同测量电阻信息包括将所述群 组分类为属于高电阻状态或低电阻状态；且

基于所述电阻信息而选择针对所述一群组经连接非易失性存储元件的所述读取 参数还包括：基于所述群组已被分类为属于所述高电阻状态还是所述低电阻状态而 选择针对所述一群组经连接非易失性存储元件的所述读取参数。

3.根据权利要求1所述的方法，其中：

所述读取数据包括基于所述电阻信息而选择用于所述群组的位线电压。

4.根据权利要求1所述的方法，其中：

所述读取数据包括基于所述电阻信息而选择用于所述非易失性存储元件的控制 栅极电压。

5.根据权利要求1所述的方法，其中：

所述读取数据包括选择用于测试所述非易失性存储元件的时间周期。

6.根据权利要求1所述的方法，其中：

所述读取数据包括选择用于测试所述非易失性存储元件的电流的参考信号。

7.根据权利要求1所述的方法，其中：

所述读取数据包括在从所述非易失性存储元件进行感测的同时向所述非易失性 存储元件的相邻存储元件提供补偿。

8.根据权利要求7所述的方法，其进一步包含：

针对所述相邻存储元件确定条件信息，所述条件信息指示所述相邻存储元件的条 件；及

如果所述电阻信息指示所述群组的第一电阻条件，则调整所述条件信息，所述补 偿是基于所述条件信息。

9.根据权利要求7所述的方法，其进一步包含：

报告所述数据。

10.根据权利要求1所述的方法，其中：

所述群组经连接非易失性存储元件为NAND串。

11.根据权利要求10所述的方法，其中：

所述针对所述一群组经连接非易失性存储元件共同测量电阻信息包括向所述群 组经连接非易失性存储元件的第一子组施加第一电压及向所述群组经连接非易失 性存储元件的第二子组施加第二电压；

所述第一子组包括所述非易失性存储元件及所述NAND串上的处于所述非易失 性存储元件的第一侧上的其它存储元件；且

所述第二子组包括所述NAND串上的处于所述非易失性存储元件的第二侧上的 其它存储元件。

12.根据权利要求11所述的方法，其中：

所述群组经连接非易失性存储元件在所述群组的每一非易失性存储元件中存储 多个数据位；且

所述电阻信息指示所述NAND串的一部分的电阻。

13.一种非易失性存储系统，其包含：

多个群组经连接非易失性存储元件；及

一个或多个管理电路，其与所述多个群组经连接非易失性存储元件通信，所述一 个或多个管理电路针对所述多个群组经连接非易失性存储元件当中的一群组经连 接非易失性存储元件共同测量电阻信息；

所述一个或多个管理电路基于所述电阻信息选择针对所述一群组经连接非易失 性存储元件的读取参数；

所述一个或多个管理电路使用所述电阻信息从所述群组经连接非易失性存储元 件读取数据，其包括使用针对所述一群组的所述读取参数来执行读取操作。