[发明专利]在等离子处理应用中提供电性接触的方法与装置

权利要求书

1、一种支撑半导体晶片的背部的装置，适用于等离子处理应用期间，所述背部于几何学上定义出内部表面区域与外部环形表面区域，所述装置包括：

晶片平台，用以支撑所述晶片；以及

多个电性接触元件，将所述多个电性接触元件中的每个配置为提供通道，所述通道用于将来自偏压源的偏置电压供应至位于所述晶片平台上的所述晶片，将所述多个电性接触元件作几何排列，使得至少一个电性接触元件接触所述内部表面区域以及至少一个电性接触元件接触所述外部环形表面区域。

2、根据权利要求1所述的装置，其中所述内部表面区域定义为所述晶片的中心与一距离之间的区域，所述距离为从所述中心至约所述晶片的半径的一半，且所述外部环形表面区域定义为所述晶片的外边缘与所述距离之间的区域。

3、根据权利要求1所述的装置，其中所述内部表面区域定义为所述晶片的中心与一距离之间的区域，所述距离为从所述中心至约0.707个半径，其中半径包括所述晶片的半径，且所述外部环形表面区域定义为所述晶片的外边缘与约0.707个半径的所述距离之间的区域。

4、根据权利要求1所述的装置，其中接触所述外部环形表面区域的所述至少一个电性接触元件包括环面。

5、根据权利要求1所述的装置，其中所述多个电性接触元件包括金属或合金。

6、根据权利要求1所述的装置，其中所述多个电性接触元件包括至少下列之一：钛、铝、钨、钽、钴、镍、硅、碳化硅以及硅化物。

7、根据权利要求1所述的装置，其中所述多个电性接触元件的至少一个包括介于约0.5毫米至约25毫米的范围内的横切半径和介于约0.5毫米至约100毫米的范围内的末端半径中的至少一个。

8、根据权利要求1所述的装置，其中所述多个电性接触元件的至少一个还包括铰链或关节。

9、根据权利要求1所述的装置，其中所述多个电性接触元件与所述晶片的所述背部的总接触面积介于约1平方毫米至约400平方毫米的范围内。

10、根据权利要求1所述的装置，其中在所述内部表面区域内的所述至少一个电性接触元件与在所述外部环形表面区域内的所述至少一个电性接触元件具有不同形状。

11、根据权利要求1所述的装置，其中当施加偏置电压时，所述多个电性接触元件提供于所述晶片上的电阻小于约30欧姆。

12、根据权利要求1所述的装置，其中所述多个电性接触元件在几何学上实质上形成六边形。

13、根据权利要求1所述的装置，其中所述多个电性接触元件在几何学上形成多个同心多边形。

14、根据权利要求13所述的装置，其中所述多个同心多边形包括具有第一组顶点的第一多边形以及具有第二组顶点的第二多边形，所述第一组顶点与所述第二组顶点不具有放射状的对齐。

15、根据权利要求1所述的装置，其中在所述外部环形表面区域内的所述至少一个电性接触元件定位于从所述晶片的外边缘起的约20毫米以内。

16、根据权利要求1所述的装置，其中所述外部环形表面区域包括多个环形表面区域。

17、根据权利要求1所述的装置，其中所述多个电性接触元件在几何学上形成多个邻近多边形。

18、一种提供电性接触的方法，所述方法适用于等离子处理应用期间，其用平台与半导体晶片的背部接触，所述方法包括：

设置至少一个电性接触元件，其与所述晶片的内部表面区域相接触；

设置至少一个电性接触元件，其与所述晶片的外部环形表面区域相接触；以及

以等离子处理所述晶片。

19、根据权利要求18所述的方法，其中所述背部于几何学上定义为内部表面区域与外部环形表面区域，所述内部表面区域定义为所述晶片的中心与一距离之间的区域，所述距离为从所述中心至约所述晶片的半径的一半，且所述外部环形表面区域定义为所述晶片的外边缘与所述约半径的一半的距离之间的区域。