[发明专利]可开关的辐射增强与去耦合

权利要求书

1.一种用于EM标签的辐射增强的装置，包括限定在第一和第二导电 层之间的谐振电介质腔，和位于场增强区域中的所述腔的边缘处的EM标签， 所述装置具有第一状态和第二状态，该第一状态中第一频率的电磁场在邻近 所述第一导电层处被增强，且增强的量足以使所述EM标签可读，该第二状 态中所述第一频率的电磁场基本不受影响，通过外部激励使得所述装置能在 所述第一状态与所述第二状态之间进行转换。

2.根据权利要求1所述的装置，其中所述激励为移除至少部分所述第 一或第二导电层。

3.根据权利要求2所述的装置，其中移除导致所述第一导电层的长度 改变。

4.根据前述任何一项权利要求所述的装置，其中所述第一或者所述第 二导电层包括脆质化的或穿孔的部分，以便于材料的移除。

5.根据权利要求2所述的装置，其中在所述电介质与所述第一或第二 导电部分之间包括脱模层，以便于所述移除。

6.根据权利要求1所述的装置，其中所述第一导电层适于通过刮擦而 能够被移除。

7.根据权利要求1所述的装置，其中当施加所述激励时，所述电介质 的至少一部分适于在基本非导电状态与导电状态之间改变。

8.根据权利要求1所述的装置，其中当施加所述激励时，所述电介质 的至少一部分适于改变介电常数。

9.根据权利要求7或权利要求8所述的装置，其中所述激励包括施加 预定频率的RF场。

10.根据权利要求7或权利要求8所述的装置，其中所述激励包括暴露 于UV辐射。

11.根据权利要求7或权利要求8所述的装置，其中所述激励包括所施 加的电势。

12.根据权利要求7或权利要求8所述的装置，其中所述电介质为多孔 的。

13.根据权利要求1所述的装置，其中所述电磁场被以大于或等于50、 100或200的因子增强。

14.根据权利要求1所述的装置，其中在所述第二状态下第二频率的电 磁场在安装位置被增强。

15.根据权利要求1所述的装置，其中所述标签由差分电容耦合供电。

16.根据权利要求1所述的装置，其中所述EM标签是低Q的RFID标 签。

17.根据权利要求1所述的装置，其中所述装置能通过另一外部激励返 回到所述第一状态。

18.根据权利要求1所述的装置，其中所述电介质的电磁特性响应于环 境条件的变化而变化，从而在给定频率和读取范围内，在该EM标签可读的 第一状态与该标签不可读的第二状态之间改变增强的程度。

19.根据权利要求1所述的装置，其中所述第一导电层在至少一个空缺 区域中不覆盖所述第二导电层。

20.根据权利要求19所述的装置，其中标签安装于或适合安装于所述 空缺区域处。

21.根据权利要求19或20所述的装置，其中所述第一导电层的至少一 个边缘与所述空缺区域之间的间隔G由G≈λ/2n确定，其中n是所述电介 质的折射率，λ是去耦器的预期工作波长。

22.根据权利要求19或20所述的装置，其中所述空缺区域为狭缝结构。

23.根据权利要求22所述的装置，其中所述狭缝宽度小于500微米。

24.根据权利要求1所述的装置，其中所述第一导电层和所述第二导电 层在一个边缘处电连接。

25.根据权利要求24所述的装置，其中所述第一导电层的长度从导电 边缘部分测量大约是λ/4，其中λ是工作频率为v的EM辐射在所述电介质 材料中的波长。