[发明专利]钴合金的无电沉积

权利要求书

1.一种溶液，包含：

钴盐；

络合剂，被配置为使用该钴盐在铜上沉积钴层，该络合 剂包含胺的化合物；以及

pH值调节剂，被配置为将该溶液的pH值调整到低于6.0。

2.根据权利要求1所述的溶液，进一步包含晶粒边界填充剂。

3.根据权利要求1所述的溶液，进一步包含被配置为促进小晶粒 生长的添加剂、球状生长阻遏剂或表面活性剂。

4.根据权利要求1所述的溶液，其中该钴盐包含钴(II)盐。

5.根据权利要求1所述的溶液，其中该钴盐包含胺基。

6.根据权利要求1所述的溶液，其中该钴盐包含 [Co(II)[胺]_1-3]²⁺[阴离子]^2-形式的胺基。

7.根据权利要求1所述的溶液，其中该钴盐包含[Co(En)]SO₄、 [CO(En)₂]SO₄、[[CO(En)₃]SO₄、[CO(Dien)](NO₃)₂或 [CO(Dien)₂](NO₃)₂。

8.根据权利要求1所述的溶液，其中该胺的化合物包含二胺。

9.根据权利要求1所述的溶液，其中该胺的化合物包含三胺。

10.根据权利要求1所述的溶液，其中该胺的化合物包含 R”-NH-R’-R-NH-R”’形式的聚胺。

11.根据权利要求1所述的溶液，其中该胺的化合物包含 R”-NH-R’-NH-R-NH-R”’形式的聚胺。

12.根据权利要求1所述的溶液，其中该胺的化合物包含 R”’-NH-[R’-NH]n-[R’-NH]m-R-NH-R””形式的聚胺。

13.根据权利要求1所述的溶液，该胺的化合物是芳香族。

14.根据权利要求1所述的溶液，进一步包含还原剂。

15.根据权利要求14所述的溶液，其中该还原剂包含DMAB。

16.根据权利要求1所述的溶液，其中该溶液是用脱氧液体调配 的。

17.一种方法，包含：

调配溶液，该溶液被配置为在铜上沉积钴层，该溶液具 有低于6.0的pH值且包含：

钴(II)盐，

包括至少两个胺基的络合剂，以及

被配置为将该pH值调整到低于6.0的pH值调节剂；

将铜表面浸入该溶液；以及

使用该溶液在该铜表面沉积钴合金层。

18.根据权利要求17所述的方法，进一步包含在该钴合金层上沉 积电介质层。

19.根据权利要求17所述的方法，其中该钴盐包含钴(II)盐。

20.根据权利要求17所述的方法，其中该钴盐包含胺基。

21.根据权利要求17所述的方法，其中该络合剂包含胺的化合物。

22.根据权利要求17所述的方法，其中溶液进一步包括还原剂。