[发明专利]使用等离子体加工衬底的方法和设备有效
| 申请号： | 200780051826.9 | 申请日： | 2007-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN101617392A | 公开（公告）日： | 2009-12-30 |
| 发明（设计）人： | 拉金德尔·德辛德萨;哈德森·艾瑞克;阿列克谢·马拉赫塔诺夫;安德烈亚斯·菲舍尔 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 余 刚;吴孟秋 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 使用 等离子体 加工 衬底 方法 设备 | ||
1.一种在电容耦合型等离子体加工系统中加工基底的方法，所述电容耦合型等离子体加工系统具有等离子体加工室以及至少上电极和下电极，在等离子体加工过程中，所述基底设在所述下电极上，所述方法包括：
向所述下电极提供至少第一RF信号，所述第一RF信号具有第一RF频率，所述第一RF信号与所述等离子体处理室中的等离子体耦合，由此在所述上电极上感生出感应RF信号；
减小或消除至少一个所述感应RF信号的正循环以产生整流RF信号，使得所述整流RF信号相对所述等离子负偏置；以及
在向所述上电极提供所述整流RF信号的同时，加工所述基底,
其中，使用整流装置来执行所述减小或消除至少一个所述感应RF信号的正循环以产生所述整流RF信号的步骤。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述整流包括去除所述感应RF信号中的正的部分。
3.根据权利要求1所述的方法，还包括向所述下电极提供第二RF信号，所述第二RF信号具有与所述第一RF信号不同的第二RF频率。
4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述第二RF频率是2MHz、27MHz和60MHz中的一个。
5.根据权利要求1所述的方法，进一步包括放大所述感应RF信号的幅度以产生所述整流RF信号。
6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述电容耦合型等离子体加工系统表示多频电容耦合型等离子体加工系统。
7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述整流装置包括功率MOSFET。
8.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：
使用所述整流RF信号负向偏置所述上电极；以及
在所述负向偏置所述上电极之后，从所述上电极驱除电子，所述电子从所述基底发散出。
9.根据权利要求1所述的方法，进一步包括放大所述感应RF信号的负的部分的幅度以生成所述整流RF信号。
10.根据权利要求1所述的方法，进一步包括使用整流电路执行所述减小或消除。
11.根据权利要求10所述的方法，进一步包括：
在所述整流电路中包括放大电路；以及
使用所述放大电路以放大所述感应RF信号的负的部分的幅度。
12.根据权利要求10所述的方法，其中所述整流电路与所述上电极耦合。
13.根据权利要求10所述的方法，其中所述整流电路设在所述等离子处理室外面。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
