[发明专利]固体摄像元件、固体摄像装置及其制造方法

权利要求书

1.一种固体摄像元件，其特征在于，包括：

第1导电型半导体层；

形成在上述第1导电型半导体层上的第1导电型柱状半导体层；

形成在上述第1导电型柱状半导体层的上部，且电荷量根据受光的不同而变化的第2导电型光电转换区域；

与上述第1导电型柱状半导体层的上端隔着规定间隔而形成在上述第2导电型光电转换区域的表面的第1导电型高浓度杂质区域，

在上述第1导电型柱状半导体层的侧面隔着栅极绝缘膜而形成有传送电极，

在上述传送电极的下方形成有第2导电型CCD沟道区域，

在上述第2导电型光电转换区域与上述第2导电型CCD沟道区域所夹着的区域形成有读出沟道。

2.一种固体摄像装置，以行列状排列有多个权利要求1中所记载的固体摄像元件。

3.根据权利要求2所记载的固体摄像装置，其特征在于，上述第2导电型CCD沟道区域由至少在相邻的上述第1导电型柱状半导体层列之间的各列之间沿列方向延伸的第2导电型杂质区域所构成，

且以使上述第2导电型CCD沟道区域不会相互接触的方式设置由第1导电型高浓度杂质构成的元件分离区域。

4.根据权利要求3所记载的固体摄像装置，其特征在于，包括在上述第1导电型柱状半导体层的侧面隔着栅极绝缘膜所形成的传送电极在内的多个传送电极，在相邻的上述第1导电型柱状半导体层行之间的各行之间沿行方向延伸，且以沿着上述第2导电型CCD沟道区域传送在上述固体摄像元件所产生的 信号电荷的方式分开规定间隔而排列。

5.一种固体摄像装置，第1固体摄像元件列和第2固体摄像元件列在水平像素方向上隔有间隔排列而成的元件列的组朝下述列方向偏移规定量且在水平像素方向上隔有上述间隔排列多组，上述第1固体摄像元件列中以规定间隔沿列方向排列有多个权利要求1所述的固体摄像元件，上述第2固体摄像元件列中以上述规定间隔沿上述列方向排列有多个权利要求1所述的固体摄像元件、且相对于上述第1固体摄像元件列朝上述列方向偏移规定量配置。

6.根据权利要求5所述的固体摄像装置，其特征在于，上述第2导电型CCD沟道区域由至少在相邻的上述柱状半导体层列之间的各列之间通过该相邻第1导电型柱状半导体层列的各柱状半导体层之间而沿列方向延伸的第2导电型杂质区域所构成，

且以使上述第2导电型CCD沟道区域不会相互接触的方式设置由第1导电型高浓度杂质所构成的元件分离区域。

7.根据权利要求6所述的固体摄像装置，其特征在于，上述传送电极在相邻柱状半导体层行之间的各行之间，以通过该相邻柱状半导体层行的各柱状半导体层之间而沿行方向延伸、且沿着上述第2导电型CCD沟道区域传送在上述固体摄像元件所产生的信号电荷的方式分开规定间隔而排列。

8.一种固体摄像元件的制造方法，其特征在于，包括：

形成第1导电型半导体层、该第1导电型半导体层上的第1导电型柱状半导体层、该第1导电型柱状半导体层上部的第2导电型光电转换区域及与该第1导电型柱状半导体层的上端隔着规定间隔的该第2导电型光电转换区域表面的第1导电型高浓度杂质区域的工序；

在上述第1导电型半导体层表面形成第2导电型CCD沟道 区域的工序；

在上述第1导电型柱状半导体层的侧面形成栅极绝缘膜的工序；

在上述第2导电型CCD沟道区域的上方，在上述第1导电型柱状半导体层的侧面隔着上述栅极绝缘膜而形成传送电极的工序。