[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，具有：

硅衬底，其具有第一元件区域和第二元件区域；

N型晶体管，其具有第一源极/漏极区域和第一栅电极，所述第一源极/ 漏极区域在所述第一元件区域内夹着第一沟道区域形成，所述第一栅电极隔 着第一栅极绝缘膜形成在所述第一沟道区域上；

第一侧壁绝缘膜，其形成在所述第一栅电极的侧壁部分，该第一侧壁绝 缘膜的杨氏模量比硅的杨氏模量小；

P型晶体管，其具有第二源极/漏极区域和第二栅电极，所述第二源极/ 漏极区域在所述第二元件区域内夹着第二沟道区域形成，所述第二栅电极隔 着第二栅极绝缘膜形成在所述第二沟道区域上；

第二侧壁绝缘膜，其形成在所述第二栅电极的侧壁部分，该第二侧壁绝 缘膜具有杨氏模量比硅的杨氏模量小的第一绝缘膜和杨氏模量比硅的杨氏 模量大的第二绝缘膜，该第二侧壁绝缘膜整体的杨氏模量比硅的杨氏模量 大；

拉伸应力膜，其覆盖所述N型晶体管，用于对所述第一沟道区域施加垂 直于沟道面的方向上的压缩应力和沟道长度方向上的拉伸应力；以及

压缩应力膜，其覆盖所述P型晶体管，用于对所述第二沟道区域施加垂 直于沟道面的方向上的拉伸应力和沟道长度方向上的压缩应力。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，

在所述第一沟道区域中，所述垂直于沟道面的方向上的压缩应力与所述 沟道长度方向上的拉伸应力相等或其以上，

在所述第二沟道区域中，所述沟道长度方向上的压缩应力比所述垂直于 沟道面的方向上的拉伸应力大。

3.根据权利要求1或2所述的半导体器件，其特征在于，

所述第一侧壁绝缘膜由所述第一绝缘膜构成，

所述第二侧壁绝缘膜具有由所述第一绝缘膜和所述第二绝缘膜构成的 层叠结构，其中，所述第二侧壁绝缘膜的第一绝缘膜的膜厚比由所述第一绝 缘膜构成的所述第一侧壁绝缘膜薄。

4.根据权利要求1或2所述的半导体器件，其特征在于，

所述第一侧壁绝缘膜具有由所述第一绝缘膜和杨氏模量与硅的杨氏模 量相等或其以下的第三绝缘膜构成的层叠结构，

所述第二侧壁绝缘膜具有由膜厚与包含在所述第一侧壁绝缘膜中的所 述第一绝缘膜相同的所述第一绝缘膜和所述第二绝缘膜构成的层叠结构。

5.根据权利要求1或2所述的半导体器件，其特征在于，

所述第一侧壁绝缘膜具有由所述第一绝缘膜和所述第二绝缘膜构成的 层叠结构，

所述第二侧壁绝缘膜具有由所述第一绝缘膜和所述第二绝缘膜构成的 层叠结构，而且所述第二绝缘膜所占的比例比所述第一侧壁绝缘膜大。

6.根据权利要求1或2所述的半导体器件，其特征在于，

所述第一侧壁绝缘膜由所述第一绝缘膜构成，

所述第二侧壁绝缘膜具有由所述第一绝缘膜和所述第二绝缘膜构成的 层叠结构，其中，所述第一绝缘膜的膜厚与由所述第一绝缘膜构成的所述第 一侧壁绝缘膜相同。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体器件，其特征在于，

所述第一绝缘膜是硅氧化膜，

所述第二绝缘膜是硅氮化膜。

8.根据权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，所述第三绝缘膜 是硅氮氧化膜。