[发明专利]电容单元、集成电路、集成电路设计方法以及集成电路制造方法有效

专利信息
申请号: 200780052396.2 申请日: 2007-03-29
公开(公告)号: CN101647111A 公开(公告)日: 2010-02-10
发明(设计)人: 金成克直 申请(专利权)人: 富士通株式会社
主分类号: H01L21/82 分类号: H01L21/82;H01L21/822;H01L27/04
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 代理人: 雒运朴;李 伟
地址: 日本神*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 电容 单元 集成电路 集成电路设计 方法 以及 制造
【权利要求书】:

1.一种电容单元,其特征在于,是在被夹在电源布线和接地布线之间的沿该电源布线和该接地布线的布线方向设置的一个或者多个部位且是作为芯片上的区域的一个或者多个部位上,配置按各处理功能生成的多个单元而构成的集成电路中,在配置了该多个单元后的该部位上的剩余区域分别配置的电容单元,

具有作为形成为在半导体基板内夹着用于积蓄静电容量的栅电极的半导体区域的扩散层,

将上述栅电极扩大到为了在上述部位上配置单元而设定的平面四边形状的单元框中的电源布线位置以及/或者接地布线位置的外侧,从而即使在仅配置了一个电容单元的情况下,也设置用于确保作为上述栅电极相对于上述扩散层的突出量的规定量的余量。

2.如权利要求1所述的电容单元,其特征在于,

将上述栅电极沿上下方向连结多个。

3.一种集成电路,其特征在于,是在被夹在电源布线和接地布线之间的沿该电源布线和该接地布线的布线方向设置的一个或者多个部位且是作为芯片上的区域的一个或者多个部位上配置了按各处理功能生成的多个单元之后的该部位上的剩余区域中,分别配置电容单元而构成的集成电路,

配置如下的电容单元:

具有作为形成为在半导体基板内夹着用于积蓄静电容量的栅电极的半导体区域的扩散层,

是通过将上述栅电极扩大到为了在上述部位上配置单元而设定的平面矩形上的单元框中的电源布线位置以及/或者接地布线位置的外侧,从而即使在仅配置了一个电容单元的情况下,也设置用于确保作为上述栅电极相对于上述扩散层的突出量的规定量的余量而得到的。

4.一种集成电路制造方法,其特征在于,是在被夹在电源布线和接地布线之间的沿该电源布线和该接地布线的布线方向设置的一个或者多个部位且是作为芯片上的区域的一个或者多个部位上配置按各处理功能生成的多个单元之后的该部位上的剩余区域,分别配置电容单元而构成的集成电路的集成电路制造方法,

包括用于配置电容单元的电容单元配置工序,该电容单元具有作为形成为在半导体基板内夹着用于积蓄静电容量的栅电极的半导体区域的扩散层,是通过将上述栅电极扩大到为了在上述部位上配置单元而设 定的平面矩形上的单元框中的电源布线位置以及/或者接地布线位置的外侧,从而即使在仅配置了一个电容单元的情况下,也设置用于确保作为上述栅电极相对于上述扩散层的突出量的规定量的余量而得到的。

5.一种集成电路设计方法,其特征在于,是在被夹在电源布线和接地布线之间的沿该电源布线和接地布线的布线方向设置的一个或者多个部位且是作为芯片上的区域的一个或者多个部位上配置了在按各处理功能生成的多个单元之后的该部位上的剩余区域,分别配置电容单元而构成的集成电路的集成电路设计方法,

包括以配置如下的电容单元的方式进行设计的工序,该电容单元具有作为形成为在半导体基板内夹着用于积蓄静电容量的栅电极的半导体区域的扩散层,是通过将上述栅电极扩大到为了在上述部位上配置单元而设定的平面矩形上的单元框中的电源布线位置以及/或者接地布线位置的外侧,从而即使在仅配置了一个电容单元的情况下,也设置用于确保作为上述栅电极相对于上述扩散层的突出量的规定量的余量而得到的。 

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