[发明专利]In-Ga-Zn-Sn系氧化物烧结体及物理成膜用靶

权利要求书

1.一种氧化物烧结体，其特征在于，

含有铟元素(In)、镓元素(Ga)、锌元素(Zn)及锡元素(S n)，

含有由Ga₂In₆Sn₂O₁₆或(Ga，In)₂O₃表示的化合物。

2.一种氧化物烧结体，其特征在于，

含有铟元素(In)、镓元素(Ga)、锌元素(Zn)及锡元素(S n)，

含有由Ga₂In₆Sn₂O₁₆表示的化合物及由In₂O₃表示的化合 物。

3.一种氧化物烧结体，其特征在于，

含有铟元素(In)、镓元素(Ga)、锌元素(Zn)及锡元素(S n)，

含有由Ga₂In₆Sn₂O₁₆表示的化合物及由InGaZnO₄表 示的化合物。

4.一种氧化物烧结体，其特征在于，

含有铟元素(In)、镓元素(Ga)、锌元素(Zn)及锡元素(S n)，

以由Ga_2.4In_5.6Sn₂O₁₆表示的化合物为主要成分。

5.根据权利要求1～4中任意一项所述的氧化物烧结体，其特征在于， 相对所述铟元素(In)、镓元素(Ga)、锌元素(Zn)及锡元素 (Sn)的总和(In+Ga+Zn+Sn)的各元素的原子比满足下述 关系，

0.15＜In/(In+Ga+Zn+Sn)＜0.8

0.05＜Ga/(In+Ga+Zn+Sn)＜0.5

0.05＜Zn/(In+Ga+Zn+Sn)＜0.6

0.05＜Sn/(In+Ga+Zn+Sn)＜0.7。

6.一种物理成膜用靶，其特征在于，

包含权利要求1～5中任意一项所述的氧化物烧结体。

7.根据权利要求6所述的物理成膜用靶，其特征在于，

所述物理成膜用靶为溅射靶，体电阻不到20mΩcm。

8.一种氧化物半导体膜，其是溅射权利要求7所述的靶而形成的。

9.一种薄膜晶体管，其含有权利要求8所述的氧化物半导体膜作为 活性层。