[发明专利]异氰酸酯烷基硅烷的制备方法有效

专利信息
申请号: 200780053187.X 申请日: 2007-08-23
公开(公告)号: CN101784555A 公开(公告)日: 2010-07-21
发明(设计)人: 张先林;杨志勇;刘东 申请(专利权)人: 张家港市华盛化学有限公司
主分类号: C07F7/18 分类号: C07F7/18;B01J21/02;B01J23/04;B01J21/06;C07C263/04
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 彭茜茜;白益华
地址: 215631 中国江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 氰酸 烷基 硅烷 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种异氰酸酯烷基硅烷的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:

(a)提供含硅基烷基氨基甲酸酯;

(b)步骤(a)的含硅基烷基氨基甲酸酯在过渡金属复合物存在下进行裂解,得 到异氰酸酯烷基硅烷;

所述的过渡金属复合物包括以下组分:

无机硅铝源组分,

以所述无机硅铝源组分摩尔量计算10~50%的活性组分;

以所述无机硅铝源组分摩尔量计算1~30%的氨基聚二甲基硅氧烷接枝组分;

其中:

所述活性组分前体为Sn(II)源;

所述氨基聚二甲基硅氧烷接枝组分接枝在所述无机硅铝源形成的骨架上,所 述接枝组分如下式(IV)基团所示:

NH(R)YSi-O-[(CH3)2SiO]p-SiY1NH-R’    (IV)

其中,Y,Y1为相同或者不同的烷基基团,烷基碳链长度为C1~C3

R,R’各自为氢、或相同或者不相同的烷基基团,烷基碳链长度为C1~C3;且

p为10~1000的整数;

所述过渡金属复合物由如下方法制备得到:

(A)提供无机硅铝源组分形成的骨架,所述骨架上负载活性组分,且所述活 性组分前体为Sn(II)源;

(B)将氨基聚二甲基硅氧烷接枝组分的原料接枝到步骤(A)得到的所述骨架, 得到所述过渡金属复合物。

2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,

所述硅铝源形成[Na/Al/Si/O]晶胞骨架,所述Na、Al、Si、O的摩尔比例 为1∶(1~2)∶(1~3)∶(1~6)。

3.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述活性组分负载在所述 [Na/Al/Si/O]晶胞骨架上,且所述活性组分嵌入所述[Na/Al/Si/O]晶胞骨架, 所述活性组分的微观粒子的10~50%的体积嵌入晶胞。

4.如权利要求3所述的方法,其特征在于,所述活性组分的微观粒子的30~ 50%的体积嵌入晶胞。

5.如权利要求3所述的方法,其特征在于,所述活性组分的负载方法包括如 下步骤:将无机硅铝源和相应量的活性组分前体的混合物进行成型、干燥,得到负 载活性组分的[Na/Al/Si/O]晶胞骨架。

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