[发明专利]振动膜构造及声波传感器无效
| 申请号： | 200780053193.5 | 申请日： | 2007-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN101682821A | 公开（公告）日： | 2010-03-24 |
| 发明（设计）人： | 三由裕一;竹内祐介;山冈彻;小仓洋 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H04R19/04 | 分类号： | H04R19/04;G01L9/00;H01L29/84 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 李贵亮 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 振动 构造 声波 传感器 | ||
1、一种振动膜构造，包括：从硅基板的上表面贯穿形成到底面的通孔以及形成在所述硅基板的上表面上且将所述通孔覆盖起来的振动电极膜，其特征在于：
所述硅基板上表面上的所述通孔的开口形状为六角形。
2、一种声波传感器，包括：从硅基板的上表面贯穿形成到底面的通孔、形成在所述硅基板的上表面上且将所述通孔覆盖起来的振动电极膜、形成在所述硅基板的上方且夹着气隙与所述振动电极膜正相对的固定电极以及形成在所述固定电极上的多个孔，其特征在于：
所述硅基板上表面上的所述通孔的开口形状为六角形。
3、根据权利要求2所述的声波传感器，其特征在于：
所述通孔的开口形状即六角形的所有角部的内角大于90度。
4、根据权利要求2所述的声波传感器，其特征在于：
所述硅基板的晶面为(110)，且所述通孔的内壁相对于所述硅基板的上表面具有垂直面及倾斜面。
5、根据权利要求2所述的声波传感器，其特征在于：
所述硅基板的晶面在(110)±1度的范围内，且所述通孔的开口形状即六角形角部中彼此正对着的两个角部的内角分别在109.4±1度的范围内，该六角形角部中其他四个角部的内角分别在125.3±1度的范围内。
6、根据权利要求2所述的声波传感器，其特征在于：
所述硅基板的平面形状为菱形。
7、根据权利要求6所述的声波传感器，其特征在于：
所述硅基板的平面开口形状即菱形角部中彼此正对着的两个角部的内角分别在70.6±1度的范围内，该菱形角部中其他两个角部的内角分别在109.4±1度的范围内。
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